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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6K407 Mosfet (Óxido de metal) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 2a (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa 6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6P39 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 1.5a (TA) 213mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 6.4nc @ 4V 250pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 1.8v
1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS322 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 1SS322 Schottky Usm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 600 MV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 100mA 18pf @ 0v, 1 MHz
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN1711 100MW ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2701 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2705, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2705 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN2908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908, LF (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN4903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22 kohms 22 kohms
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1303 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 2606 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2411 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 10 kohms
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 10 kohms
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 20V 300mA 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 100mv @ 3mA, 30a 350 @ 4MA, 2V 30MHz
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Gr, LF 0.3200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 150 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 100 mapa, 1v 200MHz
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC, L1XHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn XPN6R706 Mosfet (Óxido de metal) 8-Tson Advance-WF (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 40a (TA) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 300 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 10 V - 840MW (TA), 100W (TC)
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC, L1XHQ 2.2500
RFQ
 ECAD 2968 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn XPH3R114 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 40 V 100A (TA) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 50A, 10V 2.1V @ 1MA 230 NC @ 10 V +10V, -20V 9500 pf @ 10 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R5R04PB, LXGQ 2.6900
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TK1R5R04 Mosfet (Óxido de metal) D2pak+ descascar 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 160A (TA) 6V, 10V 1.5mohm @ 80a, 10v 3V @ 500 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 10 V - 205W (TC)
TRS10A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10A65F, S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero TRS10A65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20F-2L - EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) 10A 36pf @ 650V, 1 MHz
TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65F, S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 TRS4E65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2L - EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) 4A 16PF @ 650V, 1MHz
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5, S1F 11.8200
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK49N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 49.2a (TA) 10V 57mohm @ 24.6a, 10v 4.5V @ 2.5mA 185 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1, L1Q 2.4900
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R306 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.28mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPN7R504PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R504PL, LQ 0.6100
RFQ
 ECAD 521 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN7R504 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 38a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 19a, 10v 2.4V @ 200 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 20 V - 610MW (TA), 61W (TC)
TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PB, L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R204 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 150A (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 50A, 10V 3V @ 500 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 5855 pf @ 20 V - 960MW (TA), 132W (TC)
TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2E06PL, S1X 1.7700
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TK3R2E06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 700 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 30 V - 168W (TC)
TK17A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W, S5X 2.9800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK17A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 17.3a (TA) 10V 200mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 45W (TC)
TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R9E10PL, S1X 2.3700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TK3R9E10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 96 NC @ 10 V ± 20V 6320 pf @ 50 V - 230W (TC)
TK22A65X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X5, S5X 4.1200
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK22A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TA) 10V 160mohm @ 11a, 10v 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 45W (TC)
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8052 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 20A (TA) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 2110 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 30W (TC)
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFU, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6P35 Mosfet (Óxido de metal) 285MW (TA) US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 250 mA (TA) 1.4ohm @ 150 mm, 4.5V 1V @ 100 µA - 42pf @ 10V Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v
1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS306TE85LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-61AA 1SS306 Estándar SC-61B descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 200 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 60 ns 1 µA @ 200 V 125 ° C (Máximo)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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