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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TPH2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R903PL, L1Q 0.9400
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 35a, 10v 2.1V @ 200 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 15 V - 960MW (TA), 81W (TC)
2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z 0.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2SA1955 100 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 12 V 400 mA 100NA (ICBO) PNP 250 mv @ 10 ma, 200 ma 300 @ 10mA, 2V 130MHz
RN2115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2115 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3, S4Q -
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TJ9A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 9a (TA) 10V 170mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 1MA 47 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 10 V - 19W (TC)
2SA1837,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, WNLF (J -
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2117 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 4.7 kohms
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2Claf (J -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1428 900 MW MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPCC8093 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs TPCC8093L1Q EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 20 V 21a (TA) 2.5V, 4.5V 5.8mohm @ 10.5a, 4.5V 1.2V @ 500 µA 16 NC @ 5 V ± 12V 1860 pf @ 10 V - 1.9W (TA), 30W (TC)
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Ssm6j414 Mosfet (Óxido de metal) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 22.5mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 1MA 23.1 NC @ 4.5 V ± 8V 1650 pf @ 10 V - 1W (TA)
RN4981FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE, LF (CT 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4981 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K357R, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-MOSV Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K357 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 650 mA (TA) 3V, 5V 1.8ohm @ 150mA, 5V 2v @ 1 mapa 1.5 NC @ 5 V ± 12V 60 pf @ 12 V - 1W (TA)
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 1SS401 Schottky SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125 ° C (Máximo) 300mA 46pf @ 0V, 1 MHz
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1116 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
TK6P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6P60W, RVQ 1.7400
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK6P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 6.2a (TA) 10V 820mohm @ 3.1a, 10V 3.7V @ 310 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 300 V - 60W (TC)
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL, S1X 1.4400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK3R1E04 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30A, 4.5V 2.4V @ 500 µA 63.4 NC @ 10 V ± 20V 4670 pf @ 20 V - 87W (TC)
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4608 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN4608 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1302 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6SCMDF (J -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1680 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
2SA1020-O,CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, CKF (J -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Ssm3j134 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.2a (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 1MA 4.7 NC @ 4.5 V ± 8V 290 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SSM3K16 Mosfet (Óxido de metal) Usm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA ± 10V 9.3 pf @ 3 V - 150MW (TA)
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-Gr, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 2mA, 6V 100MHz
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (Paio, F, M) -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1967FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7266 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1967 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
RN2105ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2105 100 MW CST3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2968FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2968 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, NETQ (M -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1931 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 1v 60MHz
2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5233BTE85LF -
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC5233 100 MW Usm - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mv @ 10 ma, 200 ma 500 @ 10mA, 2V 130MHz
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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