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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
SSM3J66MFV, L3F	0.3800	RFQ	7	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	U-Mosvi	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C	Montaje en superficie	Sot-723	Ssm3j66	Mosfet (Óxido de metal)		Vesm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	8,000		Canal P		20 V	800 mA (TA)	1.2V, 4.5V	390mohm @ 800 mA, 4.5V	1V @ 1MA	1.6 NC @ 4.5 V	+6V, -8V	100 pf @ 10 V	-	150MW (TA)
CMS10I40A (TE12L, QM	0.5800	RFQ	3	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SOD-128	CMS10	Schottky		M-FLAT (2.4x3.8)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														40 V		450 MV @ 1 A		100 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)	1A	62pf @ 10V, 1 MHz
RN2902FE (T5L, F, T)	-	RFQ	3710	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	RN2902		100MW	ES6	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50V	100mA	100NA (ICBO)	2 PNP - Precializado (dual)	300mV @ 250 µA, 5 mA	50 @ 10mA, 5V	200MHz	10 kohms	10 kohms
RN1701, LF	0.3000	RFQ	6	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN1701		200MW	USV	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50V	100mA	500NA	2 NPN - Precializado (dual)	300mV @ 250 µA, 5 mA	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7 kohms	4.7 kohms
Rn1901fete85lf	0.3900	RFQ	5438	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	RN1901		100MW	ES6	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50V	100mA	100NA (ICBO)	2 NPN - Precializado (dual)	300mV @ 250 µA, 5 mA	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7 kohms	4.7 kohms
HN1D02FU (T5L, F, T)	0.4700	RFQ	8	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	HN1D02	Estándar		ES6	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad													2 par Cátodo Común	80 V	100mA	1.2 V @ 100 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	125 ° C (Máximo)
HN1B04FU-Y (T5L, F, T	-	RFQ	1894	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	HN1B04		200MW	US6	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50V	150 Ma	100NA (ICBO)	NPN, PNP	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	120 @ 2mA, 6V	150MHz
2SC2655-Y (T6ND2, AF	-	RFQ	3741	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO	2SC2655		900 MW	TO-92MOD	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2 A	1 µA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mm, 1a	70 @ 500mA, 2V	100MHz
RN1318 (TE85L, F)	0.2800	RFQ	470	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	RN1318		100 MW	SC-70	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA	500NA	NPN - Pre -Sesgado	300mV @ 250 µA, 5 mA	50 @ 10mA, 5V	250 MHz	47 kohms	10 kohms
TDTC143E, LM	0.1800	RFQ	3	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	TDTC143		320 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA	500NA	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10mA, 5V	250 MHz	4.7 kohms
2SA2056 (TE85L, F)	0.1275	RFQ	9013	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2SA2056		625 MW	TSM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	2 A	100NA (ICBO)	PNP	200 MV @ 33MA, 1A	200 @ 300mA, 2V	-
2SC4215-O (TE85L, F)	0.0946	RFQ	6491	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	2SC4215		100MW	SC-70	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	3.000			23dB																				30V	20 Ma		NPN		40 @ 1 MMA, 6V	550MHz			5DB @ 100MHz
RN2902, LF (CT	0.2800	RFQ	3	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	RN2902		200MW	US6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50V	100mA	500NA	2 PNP - Precializado (dual)	300mV @ 250 µA, 5 mA	50 @ 10mA, 5V	200MHz	10 kohms	10 kohms
2SA1182-Y, LF	0.3300	RFQ	6	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1182		150 MW	S-Mini	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							30 V	500 mA	100NA (ICBO)	PNP	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	120 @ 100mA, 1V	200MHz
2SA1020-Y, T6NSF (J	-	RFQ	2103	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO	2SA1020		900 MW	TO-92MOD	descascar		1 (ilimitado)	2SA1020-YT6NSF (J	EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2 A	1 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 50 mm, 1a	70 @ 500mA, 2V	100MHz
HN1C01FE-Gr, LF	0.3000	RFQ	4	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	HN1C01		100MW	ES6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50V	150 Ma	100NA (ICBO)	2 NPN (dual)	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 6V	80MHz
2SA1721RTE85LF	-	RFQ	7347	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1721		150 MW	S-Mini	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							300 V	100 mA	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 2 mm, 20 mm	30 @ 20MA, 10V	50MHz
TPC8014 (TE12L, Q, M)	-	RFQ	2019	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho)	TPC8014	Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP (5.5x6.0)	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	14mohm @ 5.5a, 10V	2.5V @ 1MA	39 NC @ 10 V	± 20V	1860 pf @ 10 V	-	1W (TA)
2SC5198-O (S1, E	-	RFQ	4257	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tubo	Activo	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	2SC5198		100 W	A-3p (n)	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	2SC5198-O (S1E	EAR99	8541.29.0075	25																							140 V	10 A	5 µA (ICBO)	NPN	2V @ 700 Ma, 7a	55 @ 1a, 5v	30MHz
TRS12N65FB, S1F (S	-	RFQ	3099	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	TRS12N65	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		To-247	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	TRS12N65FBS1F (S	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)													1 par Cátodo Común	650 V	6a (DC)	1.7 v @ 6 a	0 ns	90 µA @ 650 V	175 ° C (Máximo)
CUS551V30, H3F	0.2700	RFQ	13	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	CUS551	Schottky		USC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														30 V		470 MV @ 500 Ma		100 µA @ 20 V	125 ° C (Máximo)	500mA	-
2SA1020-Y (T6CN, A, F	-	RFQ	6615	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO	2SA1020		900 MW	TO-92MOD	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2 A	1 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 50 mm, 1a	70 @ 500mA, 2V	100MHz
TBAW56, LM	0.2100	RFQ	20	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SOT-23-3 Platos Platos	TBAW56	Estándar		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													1 par Ánodo Común	80 V	215 Ma				-
Hn3c10fute85lf	0.5600	RFQ	101	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	HN3C10		200MW	US6	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	3.000			11.5dB																				12V	80mera		2 NPN (dual)		80 @ 20MA, 10V	7GHz			1.1db @ 1ghz
2SA1020-Y (T6TR, A, F	-	RFQ	1681	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Una granela	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO	2SA1020		900 MW	TO-92MOD	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2 A	1 µA (ICBO)	PNP	500mv @ 50 mm, 1a	70 @ 500mA, 2V	100MHz
TPH2R608NH, L1Q	1.5400	RFQ	14	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	U-Mosviii-H	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	TPH2R608	Mosfet (Óxido de metal)		Avance 8-SOP (5x5)	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		75 V	150A (TC)	10V	2.6mohm @ 50A, 10V	4V @ 1MA	72 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 37.5 V	-	142W (TC)
2SA1873-Y (TE85L, F)	0.3500	RFQ	6	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	2SA1873		200MW	USV	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50V	150 Ma	100NA (ICBO)	2 Par de Parejas PNP (Dual), Emisor Común	300mv @ 10 Ma, 100 Ma	120 @ 2mA, 6V	80MHz
2SJ377 (TE16R1, NQ)	-	RFQ	5182	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	2SJ377	Mosfet (Óxido de metal)		Moldeado	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P		60 V	5A (TA)	4V, 10V	190mohm @ 2.5a, 10v	2v @ 1 mapa	22 NC @ 10 V	± 20V	630 pf @ 10 V	-	20W (TC)
HN2C01FE-Gr (T5L, F)	-	RFQ	1551	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	HN2C01		100MW	ES6	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50V	150 Ma	100NA (ICBO)	2 NPN (dual)	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 6V	60MHz
TPC8A02-H (TE12L, Q)	-	RFQ	8737	Toshiba Semiconductor y Almacenamiento	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho)	TPC8A02	Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP (5.5x6.0)	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		30 V	16a (TA)	4.5V, 10V	5.6mohm @ 8a, 10v	2.3V @ 1MA	34 NC @ 10 V	± 20V	1970 pf @ 10 V	-	1W (TA)