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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
SK12H60 B0G	-	RFQ	9514	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SK12	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													60 V		700 MV @ 12 A		120 µA @ 60 V	200 ° C (Max)	12A	-
S5MB	0.1328	RFQ	2068	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	S5M	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1.1 v @ 5 a		10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
S1ml	0.4700	RFQ	19	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	DO-219AB	S1ml	Estándar		Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
BC338-40-B0 B1G	-	RFQ	6068	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 MW	Un 92	descascar			Alcanzar sin afectado	1801-BC338-40-B0B1G	Obsoleto		1																						25 V	800 Ma	100NA (ICBO)			NPN	700mv @ 50 mm, 500 mA	250 @ 100mA, 5V	100MHz
Ss14alh	0.0948	RFQ	3747	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SS14	Schottky		SMA Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-SS14AlHTR	EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													40 V		550 MV @ 1 A		100 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	69pf @ 4V, 1MHz
1N5408GHA0G	-	RFQ	1735	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5408	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													1000 V		1 v @ 3 a		5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	25pf @ 4V, 1 MHz
S2ka r3g	0.4900	RFQ	20	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S2K	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													800 V		1.1 V @ 1.5 A	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	30pf @ 4V, 1 MHz
S1jm rsg	0.4200	RFQ	5	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano	S1J	Estándar		Micro SMA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													600 V		1.1 v @ 1 a	780 ns	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
GP1604H	0.6437	RFQ	1128	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	GP1604	Estándar		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-GP1604H	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	400 V	16A	1.1 v @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SFF1008G	1.1900	RFQ	33	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	SFF1008	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	600 V	10a (DC)	1.7 V @ 5 A	35 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX79C22	0.0287	RFQ	9627	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZX79C22TR	EAR99	8541.10.0050	20,000																1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 15.4 V							22 V	55 ohmios
BZD27C6V8P RTG	-	RFQ	6482	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5.88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		1 W	Subma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500																1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V							6.8 V	3 ohmios
Bav21ws	0.0569	RFQ	1627	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	BAV21	Estándar		Sod-323f	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BAV21WSTSTR	EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad													250 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	5PF @ 0V, 1MHz
2M27Z A0G	-	RFQ	3770	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	2M27		2 W	DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500																		500 na @ 20.6 V							27 V	18 ohmios
KTC3198-Y	0.0583	RFQ	2280	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Cinta y Caja (TB)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)	KTC3198		500 MW	Un 92	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-KTC3198-YTB	EAR99	8541.21.0095	4.000																						50 V	150 Ma	100NA (ICBO)			NPN	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	70 @ 2mA, 6V	80MHz
BC848CW RFG	0.0368	RFQ	6348	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC848		200 MW	Sot-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																						30 V	100 mA	100NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	100MHz
FR155GHA0G	-	RFQ	9697	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	FR155	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													600 V		1.3 V @ 1.5 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B3V0-G RHG	0.0461	RFQ	1296	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123	Bzt52b		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																900 MV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V							3 V	95 ohmios
BZT52C56S RRG	-	RFQ	6297	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	Sod-323f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																1 V @ 10 Ma		45 na @ 39.2 V							56 V	200 ohmios
Sf2006pth	1.4290	RFQ	8317	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	SF2006	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													400 V		1.5 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	175pf @ 4V, 1MHz
SR003 A0G	-	RFQ	8264	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SR003	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													30 V		550 MV @ 500 Ma		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	500mA	110pf @ 4V, 1MHz
SR2030PT C0G	-	RFQ	5583	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	SR2030	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	30 V	20A	550 MV @ 10 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C
TSM10N60CZ C0G	-	RFQ	7025	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	TSM10N60CZC0G	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	600 V	10a (TC)	10V	750mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	45.8 NC @ 10 V	± 30V	1738 pf @ 25 V	-	166W (TC)
SF34G B0G	-	RFQ	5390	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SF34	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													200 V		950 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	80pf @ 4V, 1 MHz
Sfaf504g	1.5200	RFQ	18	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	SFAF504	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													200 V		975 MV @ 5 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	70pf @ 4V, 1MHz
MBRF25100CT-Y	0.7462	RFQ	9309	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF25100	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-MBRF25100CT-Y	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	100 V	25A	850 MV @ 25 A		100 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
TSM2NB65CH X0G	-	RFQ	5652	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak		Mosfet (Óxido de metal)		TO-251 (ipak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	650 V	2a (TC)	10V	5ohm @ 1a, 10v	4V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	65W (TC)
BZT52B4V7	0.0412	RFQ	7798	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123F	Bzt52b		500 MW	SOD-123F	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	1801-BZT52B4V7TR	EAR99	8541.10.0050	6,000																1 V @ 10 Ma		2.7 µA @ 2 V							4.7 V	80 ohmios
Ssl22hr5g	-	RFQ	1364	Capacidad de semiconductor de Taiwán	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSL22	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													20 V		410 MV @ 2 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2a	-
TSM3N90CP ROG	-	RFQ	3832	Capacidad de semiconductor de Taiwán	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	TSM3N90	Mosfet (Óxido de metal)		TO-252, (D-Pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	900 V	2.5A (TC)	10V	5.1ohm @ 1.25a, 10V	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 30V	748 pf @ 25 V	-	94W (TC)