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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBRF735 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF735 C0G -
RFQ
 ECAD 1397 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF735 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 840 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
2M16Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M16Z 0.1565
RFQ
 ECAD 4429 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M16 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 12.2 V 16 V 8 ohmios
BZD17C62P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P RTG -
RFQ
 ECAD 6790 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47 V 62 V 80 ohmios
UGF8J Taiwan Semiconductor Corporation UGF8J 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero UGF8 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 8 a 25 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
1PGSMA4746 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4746 0.1086
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4746 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
1PGSMA4751HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4751hr3g -
RFQ
 ECAD 6596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4751 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
MBRS2550CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2550CT mng -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2550 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 25A 900 MV @ 25 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS1DLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhrtg -
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5349H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5349H 0.3459
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 µA @ 9.1 V 12 V 3 ohmios
1N4937G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4937G A0G -
RFQ
 ECAD 9934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SS26L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS26L M2G -
RFQ
 ECAD 7064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS26 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
ZM4736A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4736a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4736 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 10 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
BZX79B56 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B56 A0G -
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 39.2 Ma @ 50 MV 56 V 200 ohmios
BZD27C51PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c51phm2g -
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
ES3C R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3C R6 -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MTZJ33SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SD R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ33 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 25 V 32.3 V 65 ohmios
FR207GH Taiwan Semiconductor Corporation FR207GH 0.0971
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-FR207GHTR EAR99 8541.10.0080 7,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
SK32BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Sk32bhm4g -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk32 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZD27C47PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c47phrtg -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
BZX79C11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C11 A0G -
RFQ
 ECAD 8212 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
SS22L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RFG -
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
BZD27C11PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c11phmtg -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZT52C18S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C18S RRG 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
6A20G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6a20g R0G -
RFQ
 ECAD 6477 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial 6A20 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4934G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G R1G -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SFF502GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502GHC0G -
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF502 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 980 MV @ 2.5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C2V4 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V4 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
BZD17C51P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
BAS316 Taiwan Semiconductor Corporation BAS316 0.0266
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS316 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAS316TR EAR99 8541.10.0070 9,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 250 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
BA159GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation BA159GHR1G -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA159 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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