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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BAS316 Taiwan Semiconductor Corporation BAS316 0.0266
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS316 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAS316TR EAR99 8541.10.0070 9,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 250 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
BA159GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation BA159GHR1G -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA159 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZV55C51 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C51 L1G 0.0499
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 38 V 51 V 125 ohmios
BZX84C6V8 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C6V8 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
SK26A Taiwan Semiconductor Corporation Sk26a 0.0821
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk26 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
BA157GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157GHB0G -
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA157 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
PUAD10BCH Taiwan Semiconductor Corporation Puad10bch 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 PUAD10 Estándar Thindpak descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 950 MV @ 10 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
SFA802GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA802GHC0G -
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA802 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 100pf @ 4V, 1 MHz
S12MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7G -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
RS1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhmtg -
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1JH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1JH 0.0712
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
KBL401G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL401G T0G -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado KBL401GT0G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
HS1DL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL 0.2228
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1DLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C15P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P RHG -
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 15 V 10 ohmios
SF32G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32G A0G -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF32 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
MBR4035PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4035PTHC0G -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR4035 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 40A 800 MV @ 40 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAV20W-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV20W-G RHG 0.0347
RFQ
 ECAD 7262 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Bav20 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
S2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2J R5G -
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 2 a 1.5 µs 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
SF14GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation SF14GHR1G -
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF14 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
6A05G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G B0G -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A05 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
SR503HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr503hb0g -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR503 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
S1DLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation S1dlhm2g -
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MTZJ30SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ30SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj30 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 23 V 29.09 V 55 ohmios
BAT54A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A RFG 0.2600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
MUR420S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR420S R6 -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR420SR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
SF23G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF23G B0G -
RFQ
 ECAD 9518 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF23 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 40pf @ 4V, 1 MHz
SK22AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Sk22ahr3g -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk22 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
1N4759AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4759AHB0G -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4759 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
MUR840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR840HC0G -
RFQ
 ECAD 1615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Mur840 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
ES3BHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3bhm6g -
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
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