SIC
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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N5407G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407G A0G 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5407 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
SFF1004GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GA -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1004 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS14L Taiwan Semiconductor Corporation Ss14l 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZT52C10-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
BZY55B15 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b15 ryg -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
RS1AL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL MTG -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C24 0.0350
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C24TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
1N4005G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005G B0G -
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4005 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SFF2005GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF2005GH -
RFQ
 ECAD 6202 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF2005 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 90pf @ 4V, 1MHz
SFT18GH Taiwan Semiconductor Corporation Sft18gh 0.1165
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial SFT18 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS3K R6 Taiwan Semiconductor Corporation Rs3k r6 -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS3KR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C150PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c150phr3g 0.3075
RFQ
 ECAD 3795 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 110 V 147 V 300 ohmios
RS2D Taiwan Semiconductor Corporation Rs2d 0.0946
RFQ
 ECAD 8493 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2d Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C11P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c11p mhg -
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
RS2KFSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2kfsh 0.0690
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2KFSHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT55B20 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B20 L1G -
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
1SMB5928 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5928 R5G -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5928 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 9.9 V 13 V 7 ohmios
MBRF750HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF750HC0G -
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF750 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
SK53C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK53C M6G -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk53 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SRS1620 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs1620 mng -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1620 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 16A 550 MV @ 8 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
MUR320S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR320S V7G -
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC MUR320 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 3 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
BA157GH Taiwan Semiconductor Corporation BA157GH 0.0583
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA157 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
TSF20H200C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H200C 1.1388
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF20 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 930 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR4050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4050PT C0G -
RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SR4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 40A 700 MV @ 20 A 1 ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA5938H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5938H 0.0995
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5938 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 27.4 V 36 V 38 ohmios
BZX85C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C5V1 0.0645
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C5V1TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 1.5 V 5.1 V 10 ohmios
UF1B A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1B A0G -
RFQ
 ECAD 7919 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1B Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BAT54C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54C RFG 0.2600
RFQ
 ECAD 116 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
SSL32HR7G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl32hr7g -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL32 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
HER1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1601G C0G -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1601 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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