Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT55B36 L1G | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | TSD10H150CW | 1.2930 | ![]() | 8877 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | TSD10 | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S3K m6g | - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
S2ka r3g | 0.4900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S2K | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | GPA801HC0G | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | GPA801 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSPB15U100S | 1.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | TSPB15 | Schottky | SMPC4.0 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 700 MV @ 15 A | 250 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||
![]() | BC858A | 0.0334 | ![]() | 8548 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BC858ATR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | Heraf801g c0g | - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Heraf801 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | Bzy55c7v5 ryg | 0.0350 | ![]() | 6307 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0805 (Métrica de 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Sr004hr1g | - | ![]() | 7499 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Sr004 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 500 Ma | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
Ss22l mtg | - | ![]() | 2631 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS22 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||
ES1CLHMQG | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1C | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | SS320 R6G | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS320R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
![]() | SK84C V7G | - | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Sk84 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||||||||||
![]() | SR1660PT C0G | - | ![]() | 1281 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SR1660 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 16A | 700 MV @ 8 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||
Rs1dlhmqg | - | ![]() | 2955 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
S1glhr3g | - | ![]() | 9341 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1g | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BZX585B27 RKG | - | ![]() | 9827 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | SFF2003GHC0G | - | ![]() | 3519 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF2003 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 90pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
![]() | 1N5226B A0G | - | ![]() | 8091 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5226 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Fr156g a0g | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FR156 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
SS13L RQG | - | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS13 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||
![]() | SS15H | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS15HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 1 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||
S1G-JR2 | - | ![]() | 3231 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4148WS-G RVG | 0.1800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Estándar | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | SSB44 | 0.1863 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 460 MV @ 4 A | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 235pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | S2K | 0.0851 | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2K | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||
US1K R3G | - | ![]() | 5356 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1K | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1N5231B | 0.0271 | ![]() | 2113 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5231 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-1N5231BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 2M120Z B0G | - | ![]() | 9400 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M120 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 na @ 91.2 V | 120 V | 325 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock