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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
ES1AL M2G Taiwan Semiconductor Corporation Es1al m2g -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
SK13B Taiwan Semiconductor Corporation Sk13b 0.1063
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK13 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
HS1FLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1FLH 0.2378
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1FLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SS210L RVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss210l rvg 0.4100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS210 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD17C18P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RFG -
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohmios
BZD27C75PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c75phmtg -
RFQ
 ECAD 1024 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 74.5 V 100 ohmios
1PGSMA4742H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4742h 0.1156
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4742 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
SRF10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf10100hc0g -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Srf10100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 900 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
ES3DBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Es3dbhm4g -
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3D Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 46pf @ 4V, 1MHz
1N5398G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5398G A0G -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5398 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
SRT13HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt13ha0g -
RFQ
 ECAD 5026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt13 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1SMA5956H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5956H 0.1004
RFQ
 ECAD 2303 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5956 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 152 V 200 V 1200 ohmios
BZD17C220P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P RTG -
RFQ
 ECAD 4559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220 V 900 ohmios
TSZL52C27-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C27-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C27-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
SS320HR7G Taiwan Semiconductor Corporation Ss320hr7g -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS320 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4148W RHG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148W RHG 0.2000
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F 1N4148 Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
BZD27C120P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P RTG -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120.5 V 300 ohmios
UGF1008G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1008G 1.0200
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1008 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
HS1GL Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL 0.2228
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1GLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
MBR25150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR25150CTHC0G -
RFQ
 ECAD 4571 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR25150 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 25A 1.02 v @ 25 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C27P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c27p mtg -
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V 15 ohmios
TST30H150CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30H150CW 2.8500
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 TST30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 15 A 150 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
1N5263B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5263B 0.0271
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5263 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5263BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 43 V 56 V 150 ohmios
S1MFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1MFS MWG 0.4100
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 S1MF Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SS16L MTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss16l mtg -
RFQ
 ECAD 3983 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS16 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZX584B15 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B15 RSG 0.4800
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
RSFDL M2G Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL M2G -
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SS215L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L MQG -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS215 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S1JFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1JFS MWG 0.4300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 S1J Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
BZD27C75PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c75phr3g -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 74.5 V 100 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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