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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
AZ23C47 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C47 RFG 0.0794
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 35 V 47 V 100 ohmios
SR010 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR010 B0G -
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR010 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C24P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RFG -
RFQ
 ECAD 6620 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24.2 V 15 ohmios
BAT54A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A RFG 0.2600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
BZT52B47 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47 RHG 0.0453
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 33 V 47 V 170 ohmios
TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR RLG 3.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Perfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn TSM043 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFNU (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 20A (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 27a, 10v 2.2V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 16V 2480 pf @ 25 V - 100W (TC)
TST20H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20H200CW 1.2342
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 TST20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 930 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SFS1605G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1605G 0.7671
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1605 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 60pf @ 4V, 1MHz
UF1J Taiwan Semiconductor Corporation UF1J 0.0981
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1J Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SS36LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss36lhrqg -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS36 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RSFALHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhrun -
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
BC546A B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1G -
RFQ
 ECAD 3874 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
TST10H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST10H200CW 1.2930
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Un 220-3 TST10 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 910 MV @ 5 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
HER1004G Taiwan Semiconductor Corporation HER1004G 0.5559
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1004 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
UG5J Taiwan Semiconductor Corporation UG5J -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801 -ug5J EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3 V @ 5 A 20 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SR810 Taiwan Semiconductor Corporation SR810 0.2361
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR810 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 8 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
1N5820 Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820 0.1788
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5820 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 475 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
S1MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S1MB R5G -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1MB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
AZ23C43 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 0.0786
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C43TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 32 V 43 V 100 ohmios
ES2LJ Taiwan Semiconductor Corporation ES2LJ 0.1241
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2L Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 20pf @ 4V, 1 MHz
RS1JFSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jfsh 0.0603
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RS1J Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR RLG 1.4100
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM018 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 185A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 29a, 10v 2.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3479 pf @ 15 V - 104W (TC)
BC807-16 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 RFG 0.0342
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 200NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
SR102HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr102hb0g -
RFQ
 ECAD 5630 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR102 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZS55B18 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B18 RXG -
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 13 V 18 V 50 ohmios
SS36L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS36L R3G -
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS36 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52C6V2K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2K 0.0474
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C6V2KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 µA @ 3 V 6.2 V 10 ohmios
BZD27C30PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30ph 0.2933
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C30PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
ES2LG R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2LG R5G -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2L Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 20pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C160PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160PW 0.1092
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 120 V 160 V 350 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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