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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SS19L RTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss19l rtg -
RFQ
 ECAD 6478 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS16L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RFG -
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS16 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1MB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S1MB R5G -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1MB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
ES2LJ Taiwan Semiconductor Corporation ES2LJ 0.1241
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2L Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 20pf @ 4V, 1 MHz
FR203G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR203G A0G -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR203 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
1N4934G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G A0G -
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S2BAH Taiwan Semiconductor Corporation S2bah 0.0725
RFQ
 ECAD 6399 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-s2bahtr EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
S8MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S8MC R7G -
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8MC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
BC337-16-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 A1 -
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92 - Alcanzar sin afectado 1801-BC337-16-B0A1TB Obsoleto 1 45 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
HERAF1604G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1604g -
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERAF1604G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 150pf @ 4V, 1 MHz
TSM043NB04LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NB04LCZ 1.7791
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM043 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM043NB04LCZ EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 16a (TA), 124A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 16a, 10v 2.5V @ 250 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 4387 pf @ 20 V - 2W (TA), 125W (TC)
TPMR10G S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10G S1G 0.6845
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR10 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 10 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
HER105G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER105G A0G -
RFQ
 ECAD 3745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial HER105 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RS1MH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mh 0.0712
RFQ
 ECAD 3467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1m Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BAS20 Taiwan Semiconductor Corporation BAS20 0.0322
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAS20TR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
UGF1004GA Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004GA 0.4786
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1004 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-Tugf1004GA EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 10A 1.25 V @ 10 A 20 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
SF3004PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3004PTHC0G -
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF3004 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 15 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
RSFGL Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf808g 1.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Heraf808 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
SS24LH Taiwan Semiconductor Corporation Ss24lh 0.3210
RFQ
 ECAD 5191 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SS24 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS24LHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
TSM250NB06CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV RGG 1.5500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM250 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (3.15x3.1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 6a (TA), 28a (TC) 7V, 10V 25mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 30 V - 1.9W (TA), 42W (TC)
SS26LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Ss26lhrfg -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS26 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
S5KBH Taiwan Semiconductor Corporation S5KBH 0.1415
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
SRF20150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF20150HC0G -
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF20150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1.02 v @ 10 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
LSR105 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LSR105 L0G -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Do-213ab, melf LSR105 Schottky Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
RS1DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlw rvg 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W RS1D Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZT52C43K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 µA @ 33 V 43 V 150 ohmios
RS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1j r3g 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 600 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SSL22HR5G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl22hr5g -
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SSL22 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 410 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
BZD17C180P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P RHG -
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 180 V 450 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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