SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
TSZU52C10 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C10 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 7955 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
1N5404GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404GHB0G -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5404 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
BZY55C24 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c24 0.0350
RFQ
 ECAD 7884 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55C24TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
MUR4L20 Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L20 0.2730
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L20 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 890 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ C0G 9.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM190 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 190a (TC) 10V 4.2mohm @ 90a, 10V 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8600 pf @ 30 V - 250W (TC)
BZX85C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C47 0.0645
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C47TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 33 V 47 V 90 ohmios
BZD27C130P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RTG -
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 100 V 132.5 V 300 ohmios
1N5818 R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5818 R1G -
RFQ
 ECAD 1036 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5818 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 55pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B6V8-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
ES3HR7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3HR7G -
RFQ
 ECAD 3289 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3H Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
SFAS805GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS805GH -
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFAS805 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
MUR120S Taiwan Semiconductor Corporation MUR120S 0.1092
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB MUR120 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 1 A 25 ns 50 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
UF4006 A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006 A0G -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
HERF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Herf1603g C0G -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Herf1603 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 16A 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6090PT C0G -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6090 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 60A 980 MV @ 60 A 1 ma @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CTH 0.7673
RFQ
 ECAD 4500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20200 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 1.23 V @ 20 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR1660 Taiwan Semiconductor Corporation SR1660 -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 SR1660 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMB5943HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5943HR5G -
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5943 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
SK54C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK54C R6 -
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK54CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
S2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2BA R3G 0.4900
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
HS1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1dl rvg 0.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HS3FB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3FB R5G 0.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS3F Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
UG2D Taiwan Semiconductor Corporation UG2D 0.1343
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial UG2D Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
TSF20U60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20U60C 2.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF20 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 540 MV @ 10 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4737G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4737G R0G 0.0633
RFQ
 ECAD 8018 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4737 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
RSFALHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhmtg -
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
2M33Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m33z 0.1565
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m33 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 25.1 V 33 V 23 ohmios
BZT52C51S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51S 0.0554
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C51STR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
MBRF1045 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1045 C0G -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF104 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZT52C15-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 8602 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar