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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SR209 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209 B0G -
RFQ
 ECAD 1723 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR209 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT55C3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V9 L1G 0.0504
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
S3KB Taiwan Semiconductor Corporation S3KB 0.1105
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
SK33BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Sk33bhr5g -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk33 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SS315LW Taiwan Semiconductor Corporation SS315LW 0.0972
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS315 Schottky SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS315LWTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SFT13G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft13g a1g -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT13 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
S4K Taiwan Semiconductor Corporation S4K 0.2021
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4K Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.5 µs 100 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
ES1BL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RQG -
RFQ
 ECAD 1426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
SFA1005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1005GHC0G -
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1005 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
BZS55C16 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
BZT52C22-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22-G 0.0445
RFQ
 ECAD 8728 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C22-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
MBRS15100CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15100CTHMNG -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS15100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 920 MV @ 7.5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
UG56GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG56GHA0G -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial UG56 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.55 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
BC807-16 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 RFG 0.0342
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 200NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
SFAF2002GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2002GHC0G -
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF2002 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 20 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 170pf @ 4V, 1MHz
SS215L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RFG -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS215 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1SMB5928 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5928 R5G -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5928 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 9.9 V 13 V 7 ohmios
BZD17C75P Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c75p 0.2625
RFQ
 ECAD 2047 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C75PTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
KTC3198-GR A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Gr A1G -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KTC3198 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
SR809HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809HB0G -
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR809 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
RS2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2BA R3G -
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
HS1MF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS1MF-T 0.1037
RFQ
 ECAD 6457 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1MF-TTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
SFF1002GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002GA C0G -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1002 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRA840 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA840 C0G -
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA840 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
S1GLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1glhrvg -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
HER306GH Taiwan Semiconductor Corporation HER306GH 0.2527
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER306GHTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
BC546B Taiwan Semiconductor Corporation BC546B 0.0447
RFQ
 ECAD 5561 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC546BTB EAR99 8541.21.0095 10,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
DBL159G Taiwan Semiconductor Corporation DBL159G 0.2700
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) DBL159 Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.25 V @ 1.5 A 2 µA @ 1400 V 1.5 A Fase única 1.4 kV
TSSE3H60 Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H60 0.6700
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H TSSE3 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 3 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C12 0.0287
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C12TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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