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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
TS6P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P05GHC2G -
RFQ
 ECAD 9788 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS6P05 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
TS6P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P07GHC2G -
RFQ
 ECAD 3681 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS6P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
TS8P01GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P01GHD2G -
RFQ
 ECAD 8676 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P01 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 50 V 8 A Fase única 50 V
TS8P02G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02G C2G -
RFQ
 ECAD 2472 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P02 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
TS8P02GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02GHC2G -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P02 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
TS8P03G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03G C2G -
RFQ
 ECAD 1558 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
TS8P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03G D2G -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
TS8P03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03GHC2G -
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
TS8P03GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P03GHD2G -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V 8 A Fase única 200 V
TS8P04GH Taiwan Semiconductor Corporation TS8P04GH -
RFQ
 ECAD 7919 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P04 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 400 V 8 A Fase única 400 V
TS8P06G Taiwan Semiconductor Corporation Ts8p06g 1.0245
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 800 V 8 A Fase única 800 V
TS8P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P07G C2G -
RFQ
 ECAD 3364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
TSS4B02GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B02GHC2G -
RFQ
 ECAD 8078 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B02 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
TSS4B03G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B03G C2G -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B03 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
TSS4B03GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B03GHD2G -
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B03 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
TSS4B04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B04G C2G -
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B04 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.3 v @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
UG1006GH Taiwan Semiconductor Corporation UG1006GH 0.5370
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 UG1006 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 10A 1.25 v @ 5 a 22 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
SFAF507GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF507GHC0G -
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF507 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
SFAF801GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF801GHC0G -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF801 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 90pf @ 4V, 1MHz
SFAF808G Taiwan Semiconductor Corporation Sfaf808g 0.8505
RFQ
 ECAD 6972 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF808 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
SFF1004GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GA -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1004 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFF1601GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1601GHC0G -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1601 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1 MHz
SFF2006GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF2006GH 0.7635
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF2006 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 90pf @ 4V, 1MHz
SFF506G Taiwan Semiconductor Corporation SFF506G -
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF506 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 2.5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
SFF506GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF506GHC0G -
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF506 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 2.5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
SR1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1090 C0G -
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR1090 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SR1640PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR1640 PTH -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SR1640 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 16A 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
SR1660 Taiwan Semiconductor Corporation SR1660 -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 SR1660 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR1660PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1660PT C0G -
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR1660 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR2030HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2030HC0G -
RFQ
 ECAD 7595 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR2030 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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