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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
TS35P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS35P07GHC2G -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS35P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
TS40P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS40P07G C2G -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS40P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 1000 V 40 A Fase única 1 kV
2M15Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M15Z B0G -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M15 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 11.4 V 15 V 7 ohmios
2M17ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M17ZHB0G -
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M17 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 13 V 17 V 9 ohmios
2M24Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M24Z B0G -
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m24 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 18.2 V 24 V 13 ohmios
2M27Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M27Z B0G -
RFQ
 ECAD 4339 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M27 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 20.6 V 27 V 18 ohmios
2M33ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M33ZHB0G -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m33 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 25.1 V 33 V 23 ohmios
2M36ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M36ZHB0G -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m36 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 27.4 V 36 V 25 ohmios
2M43Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M43Z B0G -
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m43 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 32.7 V 43 V 35 ohmios
2M51Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M51Z B0G -
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M51 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 38.8 V 51 V 48 ohmios
FR155GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR155GHB0G -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR155 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1.5 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
FR205G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR205G B0G -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR205 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
MUR4L40HB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L40HB0G -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L40 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
1N4740AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740AHB0G -
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 8.4 V 10 V 8 ohmios
1N4752A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752A B0G -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4752 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 25.1 V 33 V 45 ohmios
TSA894CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT B0G -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TSA894 1 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 500 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 500mV @ 10 Ma, 50 Ma 150 @ 1 MMA, 10V 50MHz
GBPC1501 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1501 T0G -
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1501 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
GBPC1502M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1502M T0G -
RFQ
 ECAD 2028 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC1502 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 A Fase única 200 V
GBPC1504 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1504 T0G -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1504 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBPC1504M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1504M T0G -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC1504 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBPC1506M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1506M T0G -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC15 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBPC1508M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1508M T0G -
RFQ
 ECAD 1073 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC1508 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 A Fase única 800 V
GBPC1510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510 T0G -
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1510 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBPC25005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC25005 T0G -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC25005 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
GBPC2504 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504 T0G -
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2504 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
GBPC2506 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506 T0G -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2506 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBPC2508W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508W T0G -
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2508 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
GBPC2510M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2510M T0G -
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC2510 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
GBPC35005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005 T0G -
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC35005 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
GBPC3501M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3501M T0G -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC3501 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 A Fase única 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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