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Productos de Semiconducores discretos (15635)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DBL101GHC1G | - |  | 1805 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | DBL101 | Estándar | DBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 2 µA @ 50 V | 1 A | Fase única | 50 V | ||||||
 | DBL105G | 0.5800 | | 4 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | DBL105 | Estándar | DBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 2 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | ||||||
| DBL153GHC1G | - | | 7890 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | DBL153 | Estándar | DBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | ||||||
| Dbl154g | 0.2700 | | 1521 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | DBL154 | Estándar | DBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | ||||||
| DBL155GH | 0.2874 | | 1023 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | DBL155 | Estándar | DBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | ||||||
 | SF1002GHC0G | - | | 2585 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SF1002 | Estándar | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 975 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||
| SF1005GHC0G | - | | 1911 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SF1005 | Estándar | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | SF1602PT C0G | - | | 1261 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SF1602 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 85pf @ 4V, 1 MHz | ||||
| SF1603GHC0G | - | | 2994 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SF1603 | Estándar | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | TS15P05G C2G | - | | 1118 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||
| TS15P05GH | - | | 1794 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||
| TS15P06GH | - | | 7306 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | ||||||
| TS15P07G C2G | - | | 3869 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||
| TS15P07G | 1.8700 | | 168 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||
| TS15P07GHC2G | - | | 2664 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||
| TS15P07GH | - | | 5882 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||
| TS15PL05G C2G | - | | 9640 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 900 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||
| TS15PL05G | 3.2982 | | 9037 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 900 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||
| TS15PL05GH | - | | 5966 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 900 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | ||||||
| TS15PL06G | 3.2982 | | 4898 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 930 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | ||||||
| TS20P03G D2G | - | | 7705 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 200 V | 20 A | Fase única | 200 V | ||||||
| TS20P04G | - | | 6415 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P04 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 400 V | 20 A | Fase única | 400 V | ||||||
| TS20P05G C2G | 3.8400 | | 11 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 600 V | 20 A | Fase única | 600 V | ||||||
| TS20P07GHC2G | - | | 6706 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 50 V | 20 A | Fase única | 1 kV | ||||||
| TS25P01G D2G | - | | 5962 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | ||||||
| TS25P02GHC2G | - | | 3424 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | ||||||
| TS25P03G D2G | - | | 6754 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||
| TS25P03GHD2G | - | | 5017 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||
| TS25P04G C2G | - | | 2565 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P04 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | ||||||
| TS25P06GH | 1.4526 | | 8555 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V |
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