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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FR104G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR104G A0G 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FR104 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C200P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P R3G 0.1830
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
HS2KFL Taiwan Semiconductor Corporation HS2KFL 0.0920
RFQ
 ECAD 2480 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS2KFLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
1N5227B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5227B 0.0277
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5227 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5227BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
HDBLS104GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS104GH 0.4257
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HDBLS104GHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 1.3 V @ 1 A 5 µA @ 400 V 1 A Fase única 400 V
TSF20U45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20U45C 1.2540
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF20 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 530 MV @ 10 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
1M180Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M180Z R1G -
RFQ
 ECAD 2090 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M180 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 136.8 V 180 V 1200 ohmios
BC846BW Taiwan Semiconductor Corporation BC846BW 0.0361
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC846 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC846BWTR EAR99 8541.21.0075 18,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
MTZJ18SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ18 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 13 V 16.64 V 45 ohmios
TSM16ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM16nd50ci 3.1438
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSM16 Mosfet (Óxido de metal) Ito-220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM16nd50ci EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 350mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 2551 pf @ 50 V - 59.5W (TC)
1N4742A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742A B0G -
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4742 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 18.2 V 12 V 25 ohmios
TSM080N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56 RLG 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM080 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 73a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 14.4 NC @ 10 V ± 20V 843 pf @ 15 V - 69W (TC)
2M14ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m14zh 0.1667
RFQ
 ECAD 3437 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M14 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 10.6 V 14 V 5.5 ohmios
RDBLS207G C1G Taiwan Semiconductor Corporation RDBLS207G C1G -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota RDBLS207 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 1000 V 2 A Fase única 1 kV
TSM480P06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CI C0G -
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Mosfet (Óxido de metal) Ito-220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado TSM480P06CIC0G EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10v 2.2V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 30 V - 27W (TC)
SS24H Taiwan Semiconductor Corporation Ss24h 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
BZD27C9V1P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c9v1p mtg -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 9.05 V 4 ohmios
FR202G Taiwan Semiconductor Corporation FR202G -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-FR202GTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ36SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj36sa 0.0305
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ36 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ36SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 27 V 32.97 V 75 ohmios
2M47Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m47z 0.1565
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m47 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 35.8 V 47 V 40 ohmios
1SMA5944 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5944 R3G -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5944 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
MTZJ3V9SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj3v9sb 0.0305
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ3 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ3V9SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 3.9 V 100 ohmios
1N5402GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402GHA0G -
RFQ
 ECAD 5918 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5402 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B2V4S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4S 0.0340
RFQ
 ECAD 2208 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b2v4str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
1M150Z Taiwan Semiconductor Corporation 1M150Z 0.1118
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m150 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 114 V 150 V 1000 ohmios
1PGSMA4761 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4761 0.1086
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4761 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 175 ohmios
BZD27C150PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c150phmqg -
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 110 V 147 V 300 ohmios
SR1202H Taiwan Semiconductor Corporation SR1202H -
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR1202HTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 12 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 200 ° C 12A -
B0540W Taiwan Semiconductor Corporation B0540W 0.0878
RFQ
 ECAD 8862 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 B0540 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-B0540WTR EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 500 Ma 20 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 170pf @ 0V, 1 MHz
BZD27C39P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P RQG -
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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