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Productos de semiconductoros discretos (15635)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Zm4746a | 0.0830 |  | 6718 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | ZM4746 | 1 W | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-ZM4746ATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TSM4NB65CP ROG | 2.1200 | | 34 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TSM4NB65 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 4A (TC) | 10V | 3.37ohm @ 2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 13.46 NC @ 10 V | ± 30V | 549 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BC847CW | 0.0357 | | 7744 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BC847CWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZD17C16P RQG | - | | 9867 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.625% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C27P R3G | - | | 6073 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20 V | 27 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4746AHR1G | - | | 7282 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4746 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SMA200Z | 0.1229 | | 1366 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA200 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 152 V | 200 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD17C47P RVG | - | | 7246 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 36 V | 47 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT55C30 L0G | 0.0350 | | 4456 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 22 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzd27c13phmhg | - | | 5707 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 10 V | 13.25 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FR205GH | 0.1053 | | 6964 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-FR205GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 v @ 2 a | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TSF20U45C | 1.2540 | | 2920 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSF20 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 10A | 530 MV @ 10 A | 300 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1M180Z R1G | - | | 2090 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1M180 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 136.8 V | 180 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW | 0.0361 | | 5103 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BC846BWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TS6P06GHC2G | - | | 1912 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 800 V | 6 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C120P RVG | - | | 2848 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91 V | 120.5 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT55C13 L0G | 0.0350 | | 1801 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 26 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1pgsma4762hr3g | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4762 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2M11Z A0G | - | | 7984 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M11 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4757G A0G | - | | 7963 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4757 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2M56Z B0G | - | | 3969 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m56 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 na @ 42.6 V | 56 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52B56S RRG | - | | 8777 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Bzt52b | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 na @ 39.2 V | 56 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C130P RVG | - | | 7310 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 100 V | 132.5 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C10K RKG | 0.0474 | | 9475 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rsfmlhrvg | - | | 9222 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFML | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMA5948 | 0.0935 | | 8235 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA5948 | 1.5 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1PGSMA4745 | 0.1086 | | 1503 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4745 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzd27c36ph | 0.2933 | | 7547 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD27C36PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C12P RTG | - | | 9284 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 9.1 V | 12.05 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT55B2V7 L1G | - | | 6700 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 V | 85 ohmios |
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