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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT55C10 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C10 L1G -
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
MBR1690 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1690 -
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBR1690 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 16 A 300 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
S1DH Taiwan Semiconductor Corporation S1DH 0.0583
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
2M24ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m24zha0g -
RFQ
 ECAD 4981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m24 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 18.2 V 24 V 13 ohmios
TSS42L Taiwan Semiconductor Corporation TSS42L 0.0916
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSS42 Schottky 1005 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSS42LTR EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 650 MV @ 50 Ma 5 ns 500 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
SF12G Taiwan Semiconductor Corporation SF12G -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF12GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
1N4747AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4747AHB0G -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4747 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 15.2 V 20 V 80 ohmios
1PGSMC5366 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5366 0.3249
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5366TR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 29.7 V 39 V 14 ohmios
31DF6 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 31DF6 B0G -
RFQ
 ECAD 5659 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 31DF6 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 20 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C180P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P RFG -
RFQ
 ECAD 2347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 179.5 V 450 ohmios
SF68G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF68G B0G -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF68 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 6 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5367 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5367 R7G -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 32.7 V 43 V 20 ohmios
MMSZ5234B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5234B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5234 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
BZD27C36PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c36phrqg -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
HS1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1jl mhg -
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SD103AW Taiwan Semiconductor Corporation SD103AW 0.0573
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SD103AWTR EAR99 8541.10.0070 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 200 Ma 5 µA @ 40 V 125 ° C 350 mm 50pf @ 0v, 1 MHz
BZX85C4V3 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C4V3 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 13 ohmios
BZT55B9V1 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B9V1 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
RS2MH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2mh 0.0964
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2MHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
1SMA5942 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5942 R3G -
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5942 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
HER308G Taiwan Semiconductor Corporation HER308G 0.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial HES308 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
TSM60NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP ROG 1.0363
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 7.12 NC @ 10 V ± 30V 257.3 pf @ 100 V - 28.4W (TC)
BAT43X RSG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43X RSG -
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BAT43 Schottky Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
HER301G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HES301G A0G -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial HES301 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1PGSMA4751 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4751 R3G -
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4751 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
SS25L Taiwan Semiconductor Corporation SS25L 0.2625
RFQ
 ECAD 5600 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SS25 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS25LTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
1N4742G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742G 0.0627
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4742 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4742GTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
BZX79B20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B20 A0G -
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 14 Ma @ 50 MV 20 V 55 ohmios
S4A Taiwan Semiconductor Corporation S4a 0.2475
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4ATR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5936H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5936H 0.1798
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 22.8 V 30 V 26 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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