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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RS1GL RFG | - | ![]() | 4956 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs1g | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SRA2040 C0G | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SRA2040 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 20 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 20A | - | ||||||||||
UF1GLW RVG | 0.1278 | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | UF1G | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 20 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR1203 | 0.8267 | ![]() | 5724 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR1203TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 12 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | Sr2050pthc0g | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SR2050 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 20A | 700 MV @ 10 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | TSF10U60C | 1.9000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSF10 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 5A | 420 MV @ 5 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Rs1alh | 0.1815 | ![]() | 7516 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-RS1AlHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | LSR106 L0 | - | ![]() | 7061 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | Schottky | Asignar | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-LSR106L0TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Sr803h | - | ![]() | 1602 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR803HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | MBRF1645 C0G | - | ![]() | 6846 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | MBRF1645 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
S1jl | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-219AB | S1J | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SRAF590H | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SRAF590H | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 5 A | 200 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | Sk14bh | 0.1134 | ![]() | 9246 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SK14 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | ES3F | 0.2299 | ![]() | 2443 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ES3F | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | HER1603PT | - | ![]() | 8314 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HER1603PT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 16a (DC) | 1 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Sk19bh | - | ![]() | 6687 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-15707051TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | SFAF802GHC0G | - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SFAF802 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 90pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | S3M R7 | - | ![]() | 4993 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3MR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Es2dalh | 0.1491 | ![]() | 9202 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Estándar | SMA Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-ES2DALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
Ss26l mtg | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS26 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||
![]() | RB751V-40WS | 0.0433 | ![]() | 2876 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-RB751V-40WSTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 370 MV @ 1 MA | 500 na @ 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30mera | 2pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SF64G R0G | 0.2829 | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF64 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
S1dlw rvg | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | S1D | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | Tuas8kh | 0.2565 | ![]() | 8447 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Tuas8 | Estándar | SMPC4.6U | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-tuas8khtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 54pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5351 R6G | - | ![]() | 1686 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5351R6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 10.6 V | 14 V | 3 ohmios | |||||||||||
Rs2jfsh | 0.0694 | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Estándar | SOD-128 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-RS2JFSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 v @ 2 a | 250 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 11PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SS115FSH | 0.0948 | ![]() | 8131 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | SS115 | Schottky | SOD-128 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS115FSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 34pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBR1535CTHC0G | - | ![]() | 6736 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR1535 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 15A | 840 MV @ 15 A | 500 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SRT19 R0G | - | ![]() | 3720 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | T-18, axial | Srt19 | Schottky | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | S4A R6G | - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4AR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz |
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