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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
2M16Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M16Z A0G -
RFQ
 ECAD 5055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M16 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 12.2 V 16 V 8 ohmios
1N4756A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756A R1G -
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4756 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
BZD27C51P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P RFG -
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
1N4731G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4731G R0G 0.0627
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4731 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
BZD17C51PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c51ph 0.2790
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C51PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
MBRF1635HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1635HC0G -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1635 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
RS2K R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2K R5G 0.5800
RFQ
 ECAD 731 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2k Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
SK515B Taiwan Semiconductor Corporation Sk515b 0.1782
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK515 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZV55B15 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B15 L1G 0.0504
RFQ
 ECAD 6506 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
BZT52B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B11 0.0412
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B11TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
TUAS4DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas4dh 0.2022
RFQ
 ECAD 1557 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuas4 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuas4dhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 33pf @ 4V, 1 MHz
BZX584B30 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B30 0.0379
RFQ
 ECAD 5876 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B30TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
BAV19W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV19W RHG 0.0474
RFQ
 ECAD 2853 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F BAV19 Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 250 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
HS1JALH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1jalh 0.1008
RFQ
 ECAD 3077 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1JALHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 13PF @ 4V, 1MHz
1SMA4763 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4763 0.0944
RFQ
 ECAD 9008 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4763 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 69.2 V 91 V 250 ohmios
SS36ALH Taiwan Semiconductor Corporation Ss36alh 0.1345
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads SS36 Schottky SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS36AlHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 720 MV @ 3 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1 MHz
TSM056NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CR RLG 3.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Perfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFNU (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 18a (TA), 54A (TC) 7V, 10V 5.6mohm @ 27a, 10v 3.6V @ 250 µA 27.3 NC @ 10 V ± 20V 1942 pf @ 25 V - 78.9W (TC)
S1DBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1dbhr5g -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1D Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
1SMA4742HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4742HR3G -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4742 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
BZD27C6V8PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8phrhg -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
BZV55C68 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C68 0.0333
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C68TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 51 V 68 V 160 ohmios
1PGSMA4760 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4760 R3G -
RFQ
 ECAD 6569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4760 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51.7 V 68 V 150 ohmios
MTZJ22SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ22SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ22 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 17 V 21.18 V 30 ohmios
SS1H6LW Taiwan Semiconductor Corporation SS1H6LW 0.1011
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS1H6 Schottky SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS1H6LWTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 500 na @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SSL33 M6G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl33 m6g -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1PGSMB5954 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5954 0.1689
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 121.6 V 160 V 700 ohmios
RSFGL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL RHG -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
TSM60NC620CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CH C5G 3.6900
RFQ
 ECAD 1910 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1801-TSM60NC620CHC5G 15,000 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20V 501 pf @ 300 V - 78W (TC)
SR309 Taiwan Semiconductor Corporation SR309 -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR309TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF1035CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT C0G -
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1035 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 10A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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