SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBRS10H100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10H100CTH 0.6579
RFQ
ECAD 3840 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS10 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS10H100CTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 950 MV @ 10 A 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
MUR420 Taiwan Semiconductor Corporation Mur420 0.2886
RFQ
ECAD 8838 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur420 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 890 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C47 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C47 L1G -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 35 V 47 V 110 ohmios
BZX84C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C4V3 0.0511
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C4V3TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZS55C33 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C33 RXG 0.0340
RFQ
ECAD 5151 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
S2KAF-T Taiwan Semiconductor Corporation S2KAF-T 0.0988
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S2KAF-TTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11PF @ 4V, 1MHz
SR503 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR503 A0G -
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR503 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
SF65G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF65G A0G -
RFQ
ECAD 7610 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF65 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 6 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI C0G 4.2501
RFQ
ECAD 9034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSM60 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 260mohm @ 3.9a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1273 pf @ 100 V - 32.1W (TC)
1N4750A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4750A B0G -
RFQ
ECAD 2597 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4750 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
SK59C R7 Taiwan Semiconductor Corporation SK59C R7 -
RFQ
ECAD 6211 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK59CR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 300 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
RS1JLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhr3g 0.1932
RFQ
ECAD 2582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 800 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1SS355 RRG Taiwan Semiconductor Corporation 1SS355 RRG 0.2400
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 1SS355 Estándar Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4pf @ 500mv, 1 MHz
S3GHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S3GHR7G -
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3g Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
ES2GALH Taiwan Semiconductor Corporation Es2galh 0.1491
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES2GALHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 27pf @ 4V, 1MHz
SFAF1602GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1602GHC0G -
RFQ
ECAD 9333 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1602 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 130pf @ 4V, 1MHz
RS1DL M2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dl m2g -
RFQ
ECAD 3045 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
S3GB Taiwan Semiconductor Corporation S3GB 0.1105
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3g Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
1N5254B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5254B 0.0271
RFQ
ECAD 1105 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5254 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5254BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
S2MFL Taiwan Semiconductor Corporation S2mfl 0.0817
RFQ
ECAD 9738 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-s2mfltr EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
ES1BLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1blhrtg -
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C36 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C36 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 7193 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 80 ohmios
SRAF8100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF8100 C0G -
RFQ
ECAD 4664 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF8100 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
ES2C Taiwan Semiconductor Corporation ES2C 0.2070
RFQ
ECAD 1799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES2CTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1 MHz
SS33 Taiwan Semiconductor Corporation Ss33 0.1983
RFQ
ECAD 2955 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
TSM70N380CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CP 3.2175
RFQ
ECAD 7610 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM70 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM70N380CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 700 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 3.3a, 10v 4V @ 250 µA 18.8 NC @ 10 V ± 30V 981 pf @ 100 V - 125W (TC)
TSS70U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS70U RGG 0.0916
RFQ
ECAD 2372 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) TSS70 Schottky 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 70 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
HS3K R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3K R7G -
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3K Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
SK52B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK52B R5G -
RFQ
ECAD 6755 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk52 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZT55B43 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B43 L1G -
RFQ
ECAD 2306 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 32 V 43 V 90 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock