SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZY55C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c9v1 0.0350
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55C9V1TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
MBR2045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045CT 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2045 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RFG -
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 800 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
TSM480P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CP ROG 1.6100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM480 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10v 2.2V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 30 V - 66W (TC)
SF13GH Taiwan Semiconductor Corporation SF13GH -
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF13GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
RS1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al rvg 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1AL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al mhg -
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZX85C10 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C10 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 3626 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 7.5 V 10 V 7 ohmios
BAV103 Taiwan Semiconductor Corporation BAV103 0.0357
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BAV103 Estándar Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV103TR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1 V @ 100 Ma 100 na @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
1N4741A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741A 0.1118
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4741 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 12.2 V 11 V 16 ohmios
1N4001G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G 0.1002
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1N4001GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HS1BL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL RVG 0.2228
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HS2GFS Taiwan Semiconductor Corporation HS2GFS 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 HS2G Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 50 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1 MHz
ES1JHR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1JHR3G -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
SRS20100HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs20100hmng -
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS20100 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 550 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 125 ° C
FR204G Taiwan Semiconductor Corporation FR204G 0.0795
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR204 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C8V2PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHMHG -
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 8.2 V 2 ohmios
FR102G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR102G B0G -
RFQ
 ECAD 7652 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FR102 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MUR340S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR340S R6 -
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR340SR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
MBR6060PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060PT 4.0000
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6060 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 60A 930 MV @ 60 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
6A20GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 6a20ghr0g -
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial 6A20 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR1560CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR1560CTH -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1560 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 750 MV @ 7.5 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SK83C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK83C V7G -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk83 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
1SMA5950 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5950 0.0935
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5950 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 83.6 V 110 V 300 ohmios
SRS20100 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs20100 mng -
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS20100 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 550 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 125 ° C
1PGSMC5367 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5367 V7G -
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5367V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 32.7 V 43 V 20 ohmios
UG58G B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG58G B0G -
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial UG58 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 v @ 5 a 20 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SK36BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Sk36bhr5g -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk36 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD17C27P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P RHG -
RFQ
 ECAD 2653 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V 15 ohmios
ES3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3D R7G -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar