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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BZX584B13 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B13 0.0639
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B13TR EAR99 8541.10.0050 104,000 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
UF4005 Taiwan Semiconductor Corporation UF4005 0.0981
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4005 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BC338-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40 0.0661
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BC338-40TB EAR99 8541.21.0075 4.000 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
ES1LDH Taiwan Semiconductor Corporation Es1ldh 0.0779
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1L Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
BAT43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT43 A0G -
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Schottky Do-35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 450 MV @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
UF4006 B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006 B0G -
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
S1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1JLW RVG 0.0762
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S1J Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
2M17Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M17Z B0G -
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M17 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 13 V 17 V 9 ohmios
RSFDLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfdlhrvg -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SS115L Taiwan Semiconductor Corporation SS115L 0.6800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS115 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRT15HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt15ha0g -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt15 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SFAF1605G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1605G C0G -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1605 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 16 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1 MHz
FR157GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Fr157gha0g -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR157 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
SK22AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk22ah -
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK22AHTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
HS5M M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5M M6G -
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 5 A 75 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
HT12G Taiwan Semiconductor Corporation HT12G -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Estándar TS-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HT12GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
TSM1NB60CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CW 0.6145
RFQ
 ECAD 1762 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA TSM1 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM1NB60CWTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 600 V 1A (TC) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 250 µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 2.1W (TC)
ES1CL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL R3G 0.1489
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
2A03GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A03GHB0G -
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A03 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
S1GFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1gfshmwg 0.4600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 S1g Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MBR1535CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1535CTHC0G -
RFQ
 ECAD 6736 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1535 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 840 MV @ 15 A 500 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20L120CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L120CTHC0G -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 20A 900 MV @ 20 A 20 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR7150 C0G -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR7150 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 7.5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2302CX RFG 0.8700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3.9a (TC) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 8V 587 pf @ 10 V - 1.5W (TC)
SF37G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37G A0G -
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF37 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
TSM1NB60SCT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3G -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 500 mA (TC) 10V 10ohm @ 250 mA, 10v 4.5V @ 250 µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
UGA8120HC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA8120HC0G -
RFQ
 ECAD 3283 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 UGA8120 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.8 V @ 8 A 70 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
BZD27C8V2PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHRHG -
RFQ
 ECAD 2392 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 8.2 V 2 ohmios
2M22Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M22Z A0G -
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m22 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 16.7 V 22 V 12 ohmios
1PGSMB5952H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5952H 0.1798
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 98.8 V 130 V 450 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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