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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
TS13005CK C0G Taiwan Semiconductor Corporation TS13005CK C0G 0.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 TS13005 A-126 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 3 A 10 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 24 @ 425MA, 2V -
SS23M Taiwan Semiconductor Corporation Ss23m 0.0712
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Ss23 Schottky Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS23MTR EAR99 8541.10.0080 18,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 2 A 150 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5927H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5927H 0.1798
RFQ
 ECAD 1145 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
TSM080N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56 RLG 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM080 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 73a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2.5V @ 250 µA 14.4 NC @ 10 V ± 20V 843 pf @ 15 V - 69W (TC)
TSM3457CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3457CX6 RFG 0.9900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 TSM3457 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 551.57 pf @ 15 V - 2W (TA)
BZD27C13PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13pwh 0.5400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
MBRF1550CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1550CT C0G -
RFQ
 ECAD 7066 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1550 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 15A 750 MV @ 7.5 A 300 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF10100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10100CTH 0.5176
RFQ
 ECAD 7350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF10100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF10100CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 950 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS2BA M2G -
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2b Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
2M68Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M68Z B0G -
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m68 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 51.7 V 68 V 75 ohmios
TUAS8J Taiwan Semiconductor Corporation Tuas8j 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuas8 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 62pf @ 4V, 1 MHz
SS16 Taiwan Semiconductor Corporation SS16 0.0686
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS16 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 1 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SFF1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GHC0G -
RFQ
 ECAD 6657 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1004 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA5952 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5952 R3G -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5952 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 98.8 V 130 V 450 ohmios
SFT14GH Taiwan Semiconductor Corporation SFT14GH 0.1016
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial SFT14 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
S5A M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5A M6G -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5A Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
SK35A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK35A M2G -
RFQ
 ECAD 3079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk35 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 720 MV @ 3 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RS2GA Taiwan Semiconductor Corporation Rs2ga 0.0731
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2g Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
TPMR10D Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10D 1.0100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR10 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 10 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
TSM9409CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9409CS RLG 2.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TSM9409 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 3.5a (TA) 4.5V, 10V 155mohm @ 3.5a, 10v 1V @ 250 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 540 pf @ 30 V - 3W (TA)
TSZU52C7V5 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C7V5 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
MBR2090CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2090CTHC0G -
RFQ
 ECAD 2434 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2090 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS1MAL Taiwan Semiconductor Corporation Hs1mal 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads HS1M Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
HS5B V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5B V7G 1.4800
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
TSM1N45DCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS RLG -
RFQ
 ECAD 1275 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 450 V 500 mA (TC) 10V 4.25ohm @ 250 mA, 10V 4.9V @ 250 Ma 6.5 NC @ 10 V ± 50V 185 pf @ 25 V - 900MW (TA)
SRF10150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf10150hc0g -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF10150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 1 v @ 5 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
US1JHR3G Taiwan Semiconductor Corporation US1JHR3G -
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
2M33ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M33ZHB0G -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m33 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 25.1 V 33 V 23 ohmios
S4A V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4A V7G 1.0100
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
S3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3dhm6g -
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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