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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SRF16150H Taiwan Semiconductor Corporation Srf16150h 0.8694
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF16150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRF16150H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 1 v @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
S1JL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1jl rtg -
RFQ
 ECAD 3272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
1N4007G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007G B0G -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4007 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HS2DA Taiwan Semiconductor Corporation HS2DA 0.0948
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 3549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
BZV55C16 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C16 L1G -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
SF68GH Taiwan Semiconductor Corporation SF68GH 0.3546
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF68 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 6 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
TSM4435BCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4435BCS RLG -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 9.1a (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250 µA 3.2 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BAS70-06 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS70-06 RFG 0.0453
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
BZT52C4V7K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V7K 0.0474
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C4V7KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 2 µA @ 1 V 4.7 V 80 ohmios
MBRF1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1650HC0G -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1650 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
MTZJ43S Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj43s 0.0305
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ43 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ43STR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 33 V 42.5 V 90 ohmios
RS2DAL Taiwan Semiconductor Corporation Rs2dal 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Rs2d Estándar SMA Delgada - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.02 v @ 2 a 150 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11PF @ 4V, 1MHz
HT17G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Ht17g a0g -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial HT17 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5352 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5352 R6G -
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5352R6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 11.5 V 15 V 3 ohmios
BZD27C120P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c120p mqg -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120.5 V 300 ohmios
1SMA4754 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4754 0.0935
RFQ
 ECAD 9719 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4754 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
TSM180N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33 0.4140
RFQ
 ECAD 6335 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM180 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (3.1x3.1) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM180N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 25A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA 4.1 NC @ 4.5 V ± 20V 345 pf @ 25 V - 21W (TC)
SS115L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115L MQG -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS115 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C3V3K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3K RKG 0.0474
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 20 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
MBR4045PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4045PTHC0G -
RFQ
 ECAD 1884 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR4045 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 40A 800 MV @ 40 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMC5362 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5362 R6G -
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5362R6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 21.2 V 28 V 6 ohmios
S4A Taiwan Semiconductor Corporation S4a 0.2475
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4ATR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR10H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR10H150CT 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR10 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 970 MV @ 10 A 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
SK59BH Taiwan Semiconductor Corporation Sk59bh -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK59BHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
ES1JF R2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1JF R2G -
RFQ
 ECAD 6391 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads ES1J Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
UF1J A0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1J A0G -
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1J Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SS310LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss310lhrhg -
RFQ
 ECAD 4346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS310 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF30L60CT C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF30L60CT C0 -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela La Última Vez Que Compre MBRF30 - 1801-MBRF30L60CTC0 1
BZT52C75S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75S 0.0396
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52c75str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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