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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SFF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1001GHC0G -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1001 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 50 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MTZJ9V1SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj9v1sb 0.0305
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ9 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ9V1SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 6 V 9.1 V 25 ohmios
1N5402GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402GHA0G -
RFQ
 ECAD 5918 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5402 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
TSM6963SDCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6963SDCA 0.8294
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) TSM6963 Mosfet (Óxido de metal) 1.14W (TA) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM6963SDCATR EAR99 8541.29.0095 12,000 2 Canal P 20V 4.5a (TA) 30mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1500pf @ 10V Estándar
BZT52C12-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12-G 0.0445
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C12-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
SRF2050 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2050 C0G -
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 ECAD 1964 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF2050 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 20A 700 MV @ 10 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
AZ23C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C2V7 0.0786
RFQ
 ECAD 5844 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C2V7TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 2.7 V 83 ohmios
MBRF10H200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H200CTH 0.7608
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 ECAD 8472 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF10 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF10H200CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 970 MV @ 10 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 RGG 1.6900
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 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM200 Mosfet (Óxido de metal) 20W 8-PDFN (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 20A (TC) 20mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 345pf @ 25V -
1SMA5928H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5928H 0.0995
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5928 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 9.9 V 13 V 7 ohmios
B0530W Taiwan Semiconductor Corporation B0530W 0.0878
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 B0530 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-B0530WTR EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 430 MV @ 500 Ma 130 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 170pf @ 0V, 1 MHz
BZD27C91PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PW 0.1092
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 68 V 91 V 200 ohmios
SF18G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G A0G 0.6200
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF18 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SSL33 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 V7G -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
BZT52C15S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15S 0.0504
RFQ
 ECAD 6030 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52c15str EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
ES1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation ES1DF-T 0.0967
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES1DF-TTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
RS3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3dhm6g -
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBRF2035HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2035HC0G -
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF2035 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 750 MV @ 20 A 200 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SF16GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sf16gha0g -
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF16 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B36-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
2M200ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m200zh 0.1667
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m200 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 152 V 200 V 900 ohmios
BZT52C20S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20S 0.0504
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C20STR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
BZD27C18P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P RTG -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 17.95 V 15 ohmios
S1K Taiwan Semiconductor Corporation S1K 0.0550
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1K Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4CP ROG 0.4660
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM70 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 3.3a ​​(TC) 10V 1.4ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 370 pf @ 100 V - 38W (TC)
TST10H100CW Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW 1.2930
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 ECAD 6300 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Un 220-3 TST10 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 700 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
1T5G Taiwan Semiconductor Corporation 1T5G 0.0585
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T5G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HER154G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER154G A0G -
RFQ
 ECAD 3637 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER154 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
BZT52C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24 0.0412
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C24TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
TSP15H150S Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H150S 1.5900
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TSP15 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 840 MV @ 15 A 150 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
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