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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SF1603GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1603GHC0G -
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1603 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1 MHz
MBR10150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150 C0G -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1015 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 10 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZV55C3V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V6 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 8045 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.6 V 85 ohmios
BZT55B6V8 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V8 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
BZD27C27P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c27p mqg -
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V 15 ohmios
RSFALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfalhrtg -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
HS1DLH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1dlh 0.2378
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1DLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C120PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c120phrfg -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120.5 V 300 ohmios
BZS55C16 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 0.0340
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZS55C16TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
BZS55C6V8 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C6V8 RXG 0.0340
RFQ
 ECAD 8858 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
MTZJ18SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ18 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 13 V 16.64 V 45 ohmios
SK34A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK34A R3G 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk34 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UGF8JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF8JHC0G -
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero UGF8 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 8 a 25 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
BZD27C100PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c100phrfg -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
BC338-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 B1G -
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
BZS55B11 RXG Taiwan Semiconductor Corporation Bzs55b11 rxg -
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
1N5399G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G B0G -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5399 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C75PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c75phrtg -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 74.5 V 100 ohmios
HER3003PT Taiwan Semiconductor Corporation HER3003PT -
RFQ
 ECAD 6722 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar TO-247AD (TO-3P) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HER3003PT EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 30A (DC) 1 V @ 15 A 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFAF803GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF803GHC0G -
RFQ
 ECAD 6428 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF803 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 90pf @ 4V, 1MHz
MBRS1650 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1650 mng -
RFQ
 ECAD 4870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1650 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
S1KL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1kl rqg -
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
BZT52C30-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30-G 0.0449
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C30-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
ES1AL MQG Taiwan Semiconductor Corporation Es1al mqg -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
SF13GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF13GHA0G -
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF13 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SFA803GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA803GHC0G -
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA803 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 100pf @ 4V, 1 MHz
TSM60NC980CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC980CH C5G 3.0700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TSM60 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1801-TSM60NC980CHC5G EAR99 8541.29.0095 15,000 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 5V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 300 V - 57W (TC)
BAV70 Taiwan Semiconductor Corporation BAV70 0.0346
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV70TR EAR99 8541.10.0070 9,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 70 V 200 MMA 1.25 V @ 150 Ma 6 ns 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5260B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5260B 0.0271
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5260 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5260BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
SF21G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G A0G -
RFQ
 ECAD 6998 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF21 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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