SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SR502 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502 A0G -
RFQ
 ECAD 6585 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR502 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
BZT52B4V3S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3S RRG -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZS55B13 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B13 TRAPO -
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B13RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
1SMB5947 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5947 R5G -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5947 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 62.2 V 82 V 160 ohmios
FR202G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR202G A0G -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR202 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C47PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47FRUG -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
MBRS1660 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1660 mng -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1660 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 16 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZT55B11 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B11 L1G -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
1SMB5950H Taiwan Semiconductor Corporation 1smb5950h 0.1545
RFQ
 ECAD 6919 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5950 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 83.6 V 110 V 300 ohmios
1SMA5936H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5936H 0.0995
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5936 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 22.8 V 30 V 26 ohmios
MUR190A Taiwan Semiconductor Corporation Mur190a -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-Mur190atr EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 900 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 900 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SR1503HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1503HR0G -
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial SR1503 Schottky R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 15 A 500 µA @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 15A -
BZD27C68PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c68phmtg -
RFQ
 ECAD 3955 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51 V 68 V 80 ohmios
SFAF1601GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1601GHC0G -
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1601 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 130pf @ 4V, 1MHz
BZS55B2V7 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V7 TRAPO -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B2V7RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
TSM190N08CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ 5.2624
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TSM190 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM190N08CZ EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 75 V 17a (TA), 190a (TC) 10V 4.2mohm @ 90a, 10V 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8600 pf @ 30 V - 2W (TA), 250W (TC)
1N5254B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5254B A0G -
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5254 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM020N04LCR RLG 1.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn TSM020 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 170A (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 27a, 10v 2.5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7942 pf @ 20 V - 104W (TC)
SR209HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr209ha0g -
RFQ
 ECAD 6046 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR209 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
RS3K M6 Taiwan Semiconductor Corporation Rs3k m6 -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS3KM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
PU3BAH Taiwan Semiconductor Corporation Pu3bah 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 3 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 47pf @ 4V, 1 MHz
1SMA5936HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5936HR3G -
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5936 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 22.8 V 30 V 26 ohmios
1PGSMB5945HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5945HR5G -
RFQ
 ECAD 6940 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1PGSMB5945 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 51.7 V 68 V 120 ohmios
SF1605PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1605PTHC0G -
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF1605 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMA4741H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4741h 0.1156
RFQ
 ECAD 6951 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4741 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 8 ohmios
PU6BCH Taiwan Semiconductor Corporation Pu6bch 0.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 940 MV @ 6 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 110pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5351 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5351 V7G -
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5351V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 10.6 V 14 V 3 ohmios
TUAU8KH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau8kh 0.3453
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau8 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu8khtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 8 A 80 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 43pf @ 4V, 1MHz
2M22ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m22zha0g -
RFQ
 ECAD 2034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m22 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 16.7 V 22 V 12 ohmios
1N4935G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935G B0G -
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4935 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar