SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 RGG 1.6900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN TSM200 Mosfet (Óxido de metal) 20W 8-PDFN (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 20A (TC) 20mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 345pf @ 25V -
SRA20100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA20100HC0G -
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA20100 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
1N5397G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5397G A0G -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5397 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
SS19LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Ss19lhrun -
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS19L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L MQG -
RFQ
 ECAD 5943 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BA157G Taiwan Semiconductor Corporation Ba157g 0.0547
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA157 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MBRS4060CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CT MNG -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS4060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 40A 1 V @ 40 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZX55B3V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V3 A0G -
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3.3 V 85 ohmios
HS3A R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3A R7G 0.4100
RFQ
 ECAD 451 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3A Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
HS3D-K M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3D-K M6G 0.1229
RFQ
 ECAD 4332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS3D-KM6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 53pf @ 4V, 1MHz
SRS2030HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs2030hmng -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS2030 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 550 MV @ 10 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C
SR006HR1G Taiwan Semiconductor Corporation Sr006hr1g -
RFQ
 ECAD 5630 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR006 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 500 Ma 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 80pf @ 4V, 1 MHz
SR806 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR806 B0G -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR806 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
TS20P02G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P02G -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TS20P02G EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 100 V 20 A Fase única 100 V
SS22L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L MQG -
RFQ
 ECAD 5256 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
BZD17C36P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD17C36P -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
MBRF20100CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20100CTC0 -
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF20100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF42G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF42G A0G -
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF42 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4V, 1 MHz
BAV21WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation BAV21WS RRG 0.0564
RFQ
 ECAD 1317 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BAV21 Estándar Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
SK35BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Sk35bhm4g -
RFQ
 ECAD 4449 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk35 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ZM4748A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4748a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4748 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
RSFJL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfjl mhg -
RFQ
 ECAD 3717 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rsfjl Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 500 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
ES1DL RQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL RQG -
RFQ
 ECAD 5916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
BZX79C10 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C10 A0G -
RFQ
 ECAD 7647 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 200 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
SR206H Taiwan Semiconductor Corporation Sr206h 0.1035
RFQ
 ECAD 6145 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR206 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
MBR1545CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR1545CTH -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1545 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 840 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4740G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G R1G -
RFQ
 ECAD 9159 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 10 V 10 ohmios
BZD17C11P M2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c11p m2g -
RFQ
 ECAD 6922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
S3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3dhm6g -
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
HER606G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER606G A0G -
RFQ
 ECAD 9655 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial HER606 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 6 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 65pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar