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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Bzd17c13p | 0.2625 | ![]() | 5659 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.42% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD17C13PTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 2 µA @ 10 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5392G R0G | - | ![]() | 2048 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5392 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
S1bl rvg | - | ![]() | 4941 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1B | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF3050CT C0G | - | ![]() | 3596 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF3050 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 30A | 900 MV @ 30 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF2060CT-Y | 0.4477 | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF2060 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF2060CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 850 MV @ 20 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
Ss19hr3g | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS19 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-16 A1G | - | ![]() | 2922 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC337 | 625 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 5v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss115lh | 0.1116 | ![]() | 9150 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SS115 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS115LHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 1 A | 50 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF8100 C0G | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SRAF8100 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B5V6 | 0.0639 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX584B5V6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 104,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C56 Frin | 0.2933 | ![]() | 3326 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 43 V | 56 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
Rsfblhmqg | - | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFBL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sr3020pthc0g | - | ![]() | 6890 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SR3020 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 30A | 550 MV @ 15 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ABS6HREG | - | ![]() | 1648 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Abdomen | Estándar | Abdomenal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 950 MV @ 400 Ma | 10 µA @ 600 V | 800 Ma | Fase única | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF25150CTH | 1.3041 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF25150 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF25150CTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 25A | 1.02 v @ 25 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2 RFG | 0.0511 | ![]() | 8889 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
Alfombra es1hl | - | ![]() | 5542 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1H | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12KC R7G | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S12K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 12 a | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848A RFG | 0.0343 | ![]() | 8465 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5 mm, 100 mapa | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBL402G T0G | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | KBL402GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4763 | 0.1086 | ![]() | 6131 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4763 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
S1mlhrvg | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1ml | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30 RSG | 0.2200 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB520 | Schottky | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 600 MV @ 200 Ma | 1 µA @ 10 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||
SS24LW | 0.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | SS24 | Schottky | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 2 A | 200 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Rs1kl r3g | 0.4600 | ![]() | 229 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs1k | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C39 | 0.0287 | ![]() | 5828 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX79C39TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TST20L45CW C0G | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | TST20 | - | 1801-TST20L45CWC0G | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSP15H150S | 1.5900 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | TSP15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 840 MV @ 15 A | 150 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZU52C13 RGG | 0.0669 | ![]() | 6848 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0603 (1608 Métrica) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM6968SDCA | 0.6916 | ![]() | 8072 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | TSM6968 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.04W (TA) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TSM6968SDCATR | EAR99 | 8541.29.0095 | 12,000 | 2 Canal | 20V | 6.5a (TA) | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | 950pf @ 10V | Estándar |
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