SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SRF1050 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1050 C0G -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1050 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 700 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C
MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L RFG 0.1700
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BC847CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847CW RFG 0.0368
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC847 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 100MHz
MBR2045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045CT 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2045 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
RSFJL RQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfjl rqg -
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rsfjl Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 500 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
TUAS3KH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas3kh 0.1875
RFQ
 ECAD 6723 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuas3 Estándar TO77A (SMPC4.6U) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuas3khtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 24pf @ 4V, 1 MHz
MBR6060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6060 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 60A 930 MV @ 60 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SK59BH Taiwan Semiconductor Corporation Sk59bh -
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK59BHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
HT18G Taiwan Semiconductor Corporation Ht18g 0.0963
RFQ
 ECAD 4160 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial HT18 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
TSM10ND60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM10ND60ci 2.2540
RFQ
 ECAD 7664 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSM10 Mosfet (Óxido de metal) Ito-220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM10ND60ci EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 3.8V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1928 pf @ 50 V - 56.8W (TC)
SK22A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK22A M2G -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk22 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1SS355 RRG Taiwan Semiconductor Corporation 1SS355 RRG 0.2400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 1SS355 Estándar Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4pf @ 500mv, 1 MHz
HS1MLH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1mlh 0.2303
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1MLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4755AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AH 0.1188
RFQ
 ECAD 5210 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4755 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 32.7 V 43 V 70 ohmios
1N5822HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5822HA0G -
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5822 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 525 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
SR502 Taiwan Semiconductor Corporation SR502 -
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR502TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
ES3DVHR7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DVHR7G -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 20 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SBS36 REG Taiwan Semiconductor Corporation SBS36 REG -
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS36 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 500 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V 3 A Fase única 60 V
ES1CL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RTG -
RFQ
 ECAD 2896 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
BZD27C13PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13pwh 0.5400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
S4B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S4B V6G -
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
ES1GL Taiwan Semiconductor Corporation ES1GL 0.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1G Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
SR006 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR006 B0G -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR006 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 500 Ma 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 80pf @ 4V, 1 MHz
TSD10H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD10H120CW 1.2930
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TSD10 To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800
BAT43-L0 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT43-L0 R0G -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Schottky Do-35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAT43-L0R0G EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
SK810C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R7G -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk810 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
S5Q M3G Taiwan Semiconductor Corporation S5q m3g 0.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5Q Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.15 v @ 5 a 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 27pf @ 4V, 1MHz
TSP15H200S Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H200S 1.5900
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TSP15 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 890 MV @ 15 A 150 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
BC846BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846BW RFG 0.0368
RFQ
 ECAD 5033 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC846 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
SR305HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr305hr0g -
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR305 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar