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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GBPC1506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1506W T0G -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC15 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBPC1510M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510M T0G -
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC1510 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBPC1510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510W T0G -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC1510 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBPC2501 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2501 T0G -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2501 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
GBPC2506M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506M T0G -
RFQ
 ECAD 5831 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC2506 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBPC2508 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508 T0G -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2508 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
GBPC2510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2510 T0G -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC2510 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
GBPC35005W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005W T0G -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC35005 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
GBPC3502W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3502W T0G -
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3502 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 A Fase única 200 V
GBPC3510 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510 T0G -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3510 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
GBPC3510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510W T0G -
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3510 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
GBPC40005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40005M T0G -
RFQ
 ECAD 2575 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC40005 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 50 V 40 A Fase única 50 V
GBPC4002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4002 T0G -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC4002 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 100 V 40 A Fase única 200 V
GBPC4006M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4006M T0G -
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC4006 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 600 V 40 A Fase única 600 V
GBPC5010M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5010M T0G -
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC5010 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 1000 V 50 A Fase única 1 kV
SF21GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21GHB0G -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF21 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 40pf @ 4V, 1 MHz
SF65GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF65GHB0G -
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF65 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 6 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
SR002 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 B0G -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR002 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
SR004 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR004 B0G -
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Sr004 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
SR009 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009 B0G -
RFQ
 ECAD 1437 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR009 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
SR009HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr009hb0g -
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR009 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
SR1503HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1503HB0G -
RFQ
 ECAD 5899 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero R-6, axial SR1503 Schottky R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 15 A 500 µA @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 15A -
SR209 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR209 B0G -
RFQ
 ECAD 1723 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR209 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SR306 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR306 B0G -
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR306 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR505HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr505hb0g -
RFQ
 ECAD 5853 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR505 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SR506 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR506 B0G -
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR506 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SR509HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr509hb0g -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR509 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SR510 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR510 B0G -
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR510 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
DBLS151GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation Dbls151ghrdg -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS151 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 50 V 1.5 A Fase única 50 V
DBLS152GHRDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS152GHRDG -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS152 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 100 V 1.5 A Fase única 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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