SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX55B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4 0.0301
RFQ
ECAD 5500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55B2V4TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
BZX55C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C62 0.0305
RFQ
ECAD 4587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C62TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 47 V 62 V 150 ohmios
BZD27C22PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PH 0.2933
RFQ
ECAD 2309 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C22PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16 V 22.05 V 15 ohmios
TSS43U Taiwan Semiconductor Corporation TSS43U 0.0925
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) TSS43 Schottky 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSS43UTR EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
MTZJ39SD Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj39sd 0.0305
RFQ
ECAD 5962 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ39 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ39SDTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 V 37.58 V 85 ohmios
TS6P02G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P02G 1.2057
RFQ
ECAD 3156 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TS6P02G EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
BZT52B16-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B16-G 0.0461
RFQ
ECAD 5336 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B16-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
MTZJ36SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj36sc 0.0305
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ36 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ36SCTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 27 V 34.27 V 75 ohmios
BZX79C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C75 0.0333
RFQ
ECAD 9607 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C75TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
BZT52C20K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20K 0.0474
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C20KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 15 V 20 V 55 ohmios
MTZJ27SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ27SA 0.0305
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ27 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ27SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 21 V 24.89 V 45 ohmios
MTZJ33SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SA 0.0308
RFQ
ECAD 7518 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ33 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ33SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 25 V 30.45 V 65 ohmios
BZT52B2V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7-G 0.0461
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B2V7-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BZT55C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V7 0.0350
RFQ
ECAD 1757 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C4V7TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 500 na @ 1 V 4.7 V 60 ohmios
MBRS4060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CT 0.9495
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS4060 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS4060CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 40A 1 V @ 40 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZT55C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C51 0.0350
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C51TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 38 V 51 V 125 ohmios
HDBL107GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBL107GH 0.4257
RFQ
ECAD 9763 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HDBL107GH EAR99 8541.10.0080 5,000 1.7 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
TS6P06GH Taiwan Semiconductor Corporation TS6P06GH 0.9129
RFQ
ECAD 6291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS6P Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TS6P06GH EAR99 8541.10.0080 1.200 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
BZX79C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C62 0.0333
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C62TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 43.4 V 62 V 215 ohmios
MBRS2060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CT 0.6433
RFQ
ECAD 5237 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2060 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS2060CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B18-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18-G 0.0461
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B18-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
SS1H20LSH Taiwan Semiconductor Corporation Ss1h20lsh 0.1305
RFQ
ECAD 8626 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS1H20 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS1H20LSHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 850 MV @ 1 A 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TSSD10L45SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD10L45SW 0.8453
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSSD10 Schottky TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSSD10L45SWTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 10 A 50 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 1290pf @ 4V, 1MHz
MTZJ5V6SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj5v6sb 0.0305
RFQ
ECAD 5516 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj5 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ5V6SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 V 60 ohmios
BZT52C24K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24K 0.0474
RFQ
ECAD 9718 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C24KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 19 V 24 V 70 ohmios
BZT55C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C75 0.0494
RFQ
ECAD 4230 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C75TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 56 V 75 V 170 ohmios
BZX79B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx79b6v2 0.0305
RFQ
ECAD 8635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B6V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 4 Ma @ 3 V 6.2 V 10 ohmios
HDBL106GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBL106GH 0.4257
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Estándar DBL descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HDBL106GH EAR99 8541.10.0080 5,000 1.7 V @ 1 A 5 µA @ 800 V 1 A Fase única 800 V
BZT55B30 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B30 0.0385
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B30TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 22 V 30 V 80 ohmios
BZT55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V6 0.0385
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B3V6TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.6 V 85 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock