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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
PU4DCH Taiwan Semiconductor Corporation Pu4dch 0.7100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 930 MV @ 4 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 78pf @ 4V, 1MHz
PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation Pu4bch 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 4 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 78pf @ 4V, 1MHz
PU3DBH Taiwan Semiconductor Corporation PU3DBH 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 930 MV @ 3 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 47pf @ 4V, 1 MHz
PU2DLWH Taiwan Semiconductor Corporation Pu2dlwh 0.5000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 930 MV @ 2 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 33pf @ 4V, 1 MHz
PU1BAH Taiwan Semiconductor Corporation Pu1bah 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 1 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 19PF @ 4V, 1MHz
PU1BLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1blh 0.4000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 1 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 19PF @ 4V, 1MHz
TSZL52C36-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C36-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C36-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 90 ohmios
BZS55B18 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B18 RAG -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B18RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 13 V 18 V 50 ohmios
TSZL52C13-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C13-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C13-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 25 ohmios
2CZ4004 RHG Taiwan Semiconductor Corporation 2CZ4004 RHG -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOD-123 Estándar SOD-123 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-2CZ4004RHGTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZS55B9V1 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B9V1 TRAPO -
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B9V1RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
BZS55B6V2 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B6V2 RAG -
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B6V2RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
MBD4448HADW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD444448HADW REG -
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Estándar Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBD4448HADWREGTR EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Par de Ánodo Común 57 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSZL52C5V1-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C5V1-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C5V1-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 800 MV 5.1 V 60 ohmios
BZS55B12 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B12 RAG -
RFQ
 ECAD 3016 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B12RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
MBD4448HCDW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD444448HCDW REG -
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Estándar Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-mbd444448hcdwregtr EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 par Cátodo Común 57 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSZL52C3V9-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V9-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C3V9-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 95 ohmios
BZS55B22 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B22 RAG -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B22RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 16 V 22 V 55 ohmios
BZS55B11 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B11 TRAPO -
RFQ
 ECAD 3447 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B11RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
ES2AA Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA 0.1769
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES2AATR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
ES1A Taiwan Semiconductor Corporation ES1A -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES1ATR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
SK52BH Taiwan Semiconductor Corporation Sk52bh -
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
1PGSMB5949 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5949 0.1689
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 76 V 100 V 250 ohmios
S4B Taiwan Semiconductor Corporation S4B 0.2475
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5948H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5948H 0.1798
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 69.2 V 91 V 200 ohmios
ES3C Taiwan Semiconductor Corporation ES3C -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3CTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SS35H Taiwan Semiconductor Corporation SS35H -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS35HTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1SMA4737 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737 0.0649
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1 W DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1SMA4737TR EAR99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
ES3JH Taiwan Semiconductor Corporation ES3JH 0.2361
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
SK55B Taiwan Semiconductor Corporation Sk55b -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK55BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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