- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de Semiconducores discretos (15635)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1PGSMA160Z R3G | - |  | 3945 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA160 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 1100 ohmios | ||||||||
 | 1N4754A A0G | - | | 8558 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4754 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||
| 1SMA5928 | 0.0935 | | 6490 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA5928 | 1.5 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 7 ohmios | |||||||||
 | MBR1645 | - | | 8123 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBR1645 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||
| 1SMA4738HR3G | - | | 8360 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA4738 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||
 | BZT52C36K | 0.0474 | | 8046 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT52C36KTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||
 | BZD27C220PW | 0.1092 | | 1168 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 160 V | 220 V | 900 ohmios | ||||||||
| 1PGSMA4741 R3G | - | | 1091 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4741 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||
 | BZD27C62P MQG | - | | 3153 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohmios | ||||||||
 | 1SMB5939 | 0.1453 | | 9380 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1SMB5939 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||
 | TSZU52C3V6 RGG | 0.0669 | | 7802 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0603 (1608 Métrica) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 95 ohmios | ||||||||
| BZD17C68P RVG | - | | 1610 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51 V | 68 V | 80 ohmios | ||||||||
| 1N4760A A0G | - | | 6979 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4760 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||
 | BZT52B5V6 RHG | 0.2700 | | 2026 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Bzt52b | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 900 na @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||
 | Bzy55c24 ryg | 0.0350 | | 4526 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0805 (Métrica de 2012) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | ||||||||
| 1SMB5938 | 0.1453 | | 2273 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1SMB5938 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||
| SMLW | 0.0498 | | 9934 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SMLWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 800 Ma | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| BZD17C51P RTG | - | | 8876 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohmios | ||||||||
 | MTZJ3V0SA R0G | 0.0305 | | 5409 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | MTZJ3 | 500 MW | Do-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 2.96 V | 120 ohmios | |||||||||
 | BZT55C6V8 L1G | - | | 4986 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||
| BZT52C3V9 RHG | 0.0412 | | 6543 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||
| Bzd27c15phrhg | - | | 7775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11 V | 14.7 V | 10 ohmios | ||||||||
| Bzd27c20pwh | 0.1191 | | 7482 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15 V | 20 V | 15 ohmios | ||||||||
| 1pgsma4747hr3g | 0.4300 | | 500 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4747 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | ||||||||
 | 1N5233B A0G | - | | 7835 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5233 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||
| BZT55B3V3 L0G | 0.0385 | | 9459 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 V | 85 ohmios | ||||||||
| BZD27C18P M2G | - | | 7088 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13 V | 17.95 V | 15 ohmios | ||||||||
 | 2M130ZHB0G | - | | 4436 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M130 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 400 ohmios | |||||||||
| Bzd27c18p mhg | - | | 8825 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13 V | 17.95 V | 15 ohmios | ||||||||
| BZT55B33 L1G | - | | 7132 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 24 V | 33 V | 80 ohmios |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)