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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51 0.0458
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C51TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
UF1MH Taiwan Semiconductor Corporation UF1MH 0.1044
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1M Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
TSZU52C11 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C11 0.0669
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C11TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8.5 V 11 V 20 ohmios
BZS55B27 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B27 TRAPO -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B27RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
HS1GFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1GFL 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F HS1G Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 11PF @ 4V, 1MHz
SK510CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK510CHR7G -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk510 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
3A60HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 3A60HB0G -
RFQ
 ECAD 7414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 3A60 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 27pf @ 4V, 1MHz
1SMA4745HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4745HR3G -
RFQ
 ECAD 1593 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4745 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
2M15ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m15zha0g -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M15 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 11.4 V 15 V 7 ohmios
TPUH6JH Taiwan Semiconductor Corporation Tpuh6jh 0.3192
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPUH6 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TPUH6JHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3 V @ 6 A 25 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
TSZL52C6V2 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C6V2 RWG -
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSZL52 200 MW 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP ROG 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM1NB60 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1A (TC) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 250 µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 39W (TC)
BZX55B24 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B24 A0G -
RFQ
 ECAD 3692 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
BZX55B39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B39 0.0301
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55B39TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
1SMA4763HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4763HR3G -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4763 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 69.2 V 91 V 250 ohmios
RS1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlwh 0.0643
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1DLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SS13LH Taiwan Semiconductor Corporation Ss13lh 0.2235
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SS13 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS13LHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZD17C24P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c24p mtg -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.83% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24 V 15 ohmios
S5A R6G Taiwan Semiconductor Corporation S5A R6G -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S5AR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX585B16 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B16 RKG -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B1 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 45 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
MBR2035PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2035PT C0G -
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR2035 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMC5368 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5368 V7G -
RFQ
 ECAD 8674 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5368V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 35.8 V 47 V 25 ohmios
M3Z5V6C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z5V6C 0.0294
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z5 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z5V6CTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 µA @ 2 V 5.6 V 30 ohmios
1N4933GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHR0G -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4933 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS5J-T M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs5j-t m6g 0.1407
RFQ
 ECAD 2061 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs5J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS5J-TM6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 5 A 250 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 46pf @ 4V, 1MHz
RS2BAH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2bah 0.1197
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS2BAHTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C100PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c100pwh 0.5400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
BZY55B13 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b13 ryg -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
BZX85C22 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C22 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 16 V 22 V 25 ohmios
BZD27C43PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c43phmtg -
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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