SIC
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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GBPC2504M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504M T0G -
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC2504 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
GBPC2504W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504W T0G -
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2504 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
GBPC2506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2506W T0G -
RFQ
 ECAD 2736 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2506 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBPC2508M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508M T0G -
RFQ
 ECAD 3765 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC2508 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
GBPC2510W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2510W T0G -
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2510 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 25 A Fase única 1 kV
GBPC35005M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC35005M T0G -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC35005 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
GBPC3501 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3501 T0G -
RFQ
 ECAD 5938 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3501 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 A Fase única 100 V
GBPC3504 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3504 T0G -
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3504 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 400 V 35 A Fase única 400 V
GBPC3504W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3504W T0G -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3504 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 400 V 35 A Fase única 400 V
GBPC3506W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3506W T0G -
RFQ
 ECAD 4340 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3506 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
GBPC3508 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3508 T0G -
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3508 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
GBPC3508W T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3508W T0G -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3508 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
GBPC3510M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510M T0G -
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC3510 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
GBPC40005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC40005 T0G -
RFQ
 ECAD 4047 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC40005 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 50 V 40 A Fase única 50 V
GBPC4002M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4002M T0G -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC4002 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 100 V 40 A Fase única 200 V
GBPC4008 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4008 T0G -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC4008 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 800 V 40 A Fase única 800 V
GBPC4010 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4010 T0G -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC4010 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 1000 V 40 A Fase única 1 kV
GBPC4010M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4010M T0G -
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC4010 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 1000 V 40 A Fase única 1 kV
GBPC5001M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5001M T0G -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC5001 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 100 V 50 A Fase única 100 V
GBPC5002 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5002 T0G -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC5002 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 100 V 50 A Fase única 200 V
GBPC5004 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5004 T0G -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC5004 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 400 V 50 A Fase única 400 V
GBPC5008M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5008M T0G -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40-M GBPC5008 Estándar GBPC40-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 800 V 50 A Fase única 800 V
FR152GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHB0G -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR152 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
FR207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR207G B0G -
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR207 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
SF15G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF15G B0G -
RFQ
 ECAD 6868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF15 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SF24GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF24GHB0G -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF24 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1 MHz
SF67GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF67GHB0G -
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF67 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 6 a 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
SK12H45 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H45 B0G -
RFQ
 ECAD 3994 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SK12 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 12 A 120 µA @ 45 V 200 ° C (Max) 12A -
SR003 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003 B0G -
RFQ
 ECAD 4634 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR003 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
SR003HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr003hb0g -
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR003 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 500 Ma 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 110pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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