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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RS3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3d m6g -
RFQ
 ECAD 7741 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR16150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR16150PT C0G -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 1 v @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
2A06GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A06GHA0G -
RFQ
 ECAD 7649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A06 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1 MHz
UGF1006G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1006G 0.4737
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1006 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 10A 1.25 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
TSM210N02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX 0.2725
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TSM210 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM210N02CXTR EAR99 8541.29.0095 12,000 N-canal 20 V 6.7a (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5V 0.8V @ 250 µA 5.8 NC @ 4.5 V ± 10V 600 pf @ 10 V - 1.56W (TC)
ZM4748A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4748a 0.0830
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4748 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4748ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
MBR1560CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR1560CT-Y 0.4221
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1560 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR1560CT Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 1.05 v @ 15 a 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM120N06LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCP 0.9440
RFQ
 ECAD 1813 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSM120 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSM120N06LCPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 10a (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2118 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 125W (TC)
RS1GLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glhrvg -
RFQ
 ECAD 9234 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
6A40G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40G A0G -
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A40 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
HER204G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER204G A0G -
RFQ
 ECAD 1969 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER204 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
MUR160HA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160HA0G -
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial MUR160 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
HS5A R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS5A R7 -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS5AR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
SR105 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 R0G -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR105 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRF2060H Taiwan Semiconductor Corporation Srf2060h -
RFQ
 ECAD 7982 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF2060 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 700 MV @ 10 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 125 ° C
BAS85-L0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BAS85-L0 L1G -
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Schottky Mini Melf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAS85-L0L1G EAR99 8541.10.0070 2.500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
S8JC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S8JC M6G -
RFQ
 ECAD 6965 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S8JC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
BA158GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation BA158GHB0G -
RFQ
 ECAD 3094 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA158 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation Es2dal 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads ES2D Estándar SMA Delgada - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -2068-es2dalct EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1 MHz
TSSE3U60 Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U60 0.2700
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H TSSE3 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSSE3U60TR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 580 MV @ 3 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BAS21W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21W RVG 0.0498
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAS21 Estándar Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 250 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
RS3JHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3jhm6g -
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3j Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
FR302G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR302G A0G -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR302 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
S5MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S5mbhr5g -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S5M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 5 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 40pf @ 4V, 1 MHz
BZV55C33 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C33 0.0499
RFQ
 ECAD 5637 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C33TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
SK82CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Sk82chm6g -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk82 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
SRS2050 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs2050 mng -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS2050 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 20A 700 MV @ 10 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF2L4GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L4GHA0G -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Sf2l4 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1 MHz
SK34A Taiwan Semiconductor Corporation Sk34a 0.1053
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk34 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RS1BLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1blhmhg -
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
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