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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | 1PGSMC5358 V7G | - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5358V7GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 16.7 V | 22 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Sk15bhr5g | - | ![]() | 6207 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SK15 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||
![]() | BZX585B33 RKG | - | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZX585B3 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 na @ 23 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||
1pgsma4755hr3g | - | ![]() | 4618 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4755 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5955H | 0.1798 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 136.8 V | 180 V | 900 ohmios | ||||||||||||||||||||
BZD17C33P RTG | - | ![]() | 5801 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF10H90 C0 | - | ![]() | 2251 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | MBRF10 | - | 1801-MBRF10H90C0 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5929 | 0.0935 | ![]() | 4770 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA5929 | 1.5 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 na @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1640 | - | ![]() | 5946 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SRAF1640 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 16 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 16A | - | |||||||||||||||||
Ss23l mhg | - | ![]() | 2208 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Ss23 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||
![]() | BC337-40-B0 A1 | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | - | Alcanzar sin afectado | 1801-BC337-40-B0A1TB | Obsoleto | 1 | 45 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5402GH | - | ![]() | 3931 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1N5402GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 1SMB5952H | 0.1545 | ![]() | 7484 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1SMB5952 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | UDZS33B RRG | - | ![]() | 2778 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS33 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 na @ 25 V | 33 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5362 | 0.3249 | ![]() | 1641 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5362TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 21.2 V | 28 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | MTZJ22SD | 0.0305 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | MTZJ22 | 500 MW | Do-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MTZJ22SDTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 17 V | 22.08 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
1SMA5931 | 0.0935 | ![]() | 2351 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA5931 | 1.5 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 na @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | S2dal | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S2d | Estándar | SMA Delgada | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 2 a | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2m27zha0g | - | ![]() | 9373 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M27 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 20.6 V | 27 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15 | 0.0652 | ![]() | 1429 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX85C15TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BC807-25 | 0.0333 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BC807-25TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 | 0.0511 | ![]() | 3470 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.13% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX84C3V9TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5364 V7G | - | ![]() | 6775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5364V7GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||
Bzd27c75phmtg | - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 74.5 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
BZD27C7V5P R3G | - | ![]() | 7091 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6.04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 3 V | 7.45 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||
BZT52C3V3-G | 0.0445 | ![]() | 3549 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT52C3V3-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | Sras2060 | 0.7722 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sras2060 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-sras2060tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 20 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||
![]() | SFAF805GHC0G | - | ![]() | 3405 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SFAF805 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
Ss24lhr3g | 0.3210 | ![]() | 5019 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS24 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSF30U120C | 1.3038 | ![]() | 4448 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 15A | 880 MV @ 15 A | 500 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volumen de RFQ promedio diario
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