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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RB706F-40 RVG Taiwan Semiconductor Corporation RB706F-40 RVG -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RB706 Schottky Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 45 V 370 MV @ 1 MA 1 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 30mera 2pf @ 1v, 1 MHz
RS1BLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1blhrvg -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
RSFGLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhrvg -
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
S1KLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1klhrvg -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SS115L RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra SS115L 0.2625
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS115 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS15LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss15lhrvg -
RFQ
 ECAD 7544 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS15 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS22LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22lhrug -
RFQ
 ECAD 4815 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRS10100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10100H 0.5043
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS10100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
MBRS10150 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150 mng -
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS10150 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
MBRS1035CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035CTHMNG -
RFQ
 ECAD 4587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1035 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 10A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS1060CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060CTHMNG -
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 900 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS1545CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1545CT-Y MNG -
RFQ
 ECAD 4661 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1545 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 840 MV @ 15 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS2050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2050CTHMNG -
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2050 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS2060CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CT-Y MNG -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS25150CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25150CT mng -
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS25150 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 25A 1.02 v @ 25 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFS1001GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1001ghmng -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1001 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 5 A 35 ns 1 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SFS1008G Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1008g -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1008 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 5 A 35 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
SFS1606G Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1606g 0.7671
RFQ
 ECAD 6049 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1606 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 60pf @ 4V, 1MHz
SFS1607GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1607ghmng -
RFQ
 ECAD 6700 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1607 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 60pf @ 4V, 1MHz
BZD17C100P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c100p mtg -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
BZD17C100P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P RQG -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
BZD17C120P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RQG -
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120 V 300 ohmios
BZD17C13P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c13p mtg -
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
BZD17C13P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P RTG -
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
BZD17C180P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P MQG -
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 180 V 450 ohmios
BZD17C18P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RTG -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohmios
BZD17C36P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c36p mqg -
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
BZD17C39P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P RTG -
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
BZD17C43P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P RQG -
RFQ
 ECAD 3954 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
BZD17C47P MTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c47p mtg -
RFQ
 ECAD 7592 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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