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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HER106G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER106G A0G 0.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial HER106 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SSL13H Taiwan Semiconductor Corporation SSL13H 0.1398
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SSL13 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 390 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
PU3JC Taiwan Semiconductor Corporation PU3JC 0.1893
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC PU3J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-PU3JCTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 25 ns 2 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 31pf @ 4V, 1 MHz
TPAU3D Taiwan Semiconductor Corporation Tpau3d 0.2937
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tpau3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tpau3dtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.88 v @ 3 a 65 ns 400 na @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
RS1JL MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jl mtg -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 800 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
MBRF2060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 C0G -
RFQ
 ECAD 1862 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF2060 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 820 MV @ 20 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZD27C200PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c200phmtg -
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
BZX55B6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B6V8 A0G -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
S2JFSH Taiwan Semiconductor Corporation S2jfsh 0.0683
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S2JFSHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 12PF @ 4V, 1MHz
HER155GH Taiwan Semiconductor Corporation HER155GH 0.1215
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER155GHTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
SRS10100 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs10100 mng -
RFQ
 ECAD 5055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS10100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 900 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS1ALHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhrfg -
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1N4933G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1N4933GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C200PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c200phrhg -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
1SMA4758H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4758H 0.0995
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4758 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 42.6 V 56 V 110 ohmios
MMSZ5226B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5226B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5226 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
RS3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3d r7g -
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
S1ALHRUG Taiwan Semiconductor Corporation S1alhrug -
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1a Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MBR1645 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645 C0G -
RFQ
 ECAD 7353 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1645 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
MUR4L20 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L20 B0G -
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L20 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 890 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
SR4060PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4060PT C0G -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR4060 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 40A 700 MV @ 20 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRT19 Taiwan Semiconductor Corporation Srt19 -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Schottky TS-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SRT19TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 28pf @ 4V, 1MHz
1N4002GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHA0G -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
UGF1005G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005G 0.4737
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1005 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.25 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
SK310AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk310AH 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk310 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SF28GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF28GHB0G -
RFQ
 ECAD 1734 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF28 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
SF45GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF45GHB0G -
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF45 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 80pf @ 4V, 1 MHz
SRT12HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt12hr0g -
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial Srt12 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RSFMLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrqg -
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SS22LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22lhrhg -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
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    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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