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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUR190A A0G | 0.0835 | ![]() | 7756 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | MUR190 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
S1blhrtg | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1B | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||
BZD17C51P RFG | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 39 V | 51 V | 60 ohmios | ||||||||||
![]() | S8JC V7G | 0.9600 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S8JC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N5398GH | 0.0831 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5398 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | Sr105hr0g | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR105 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||
![]() | TSZL52C12-F0 RWG | - | ![]() | 1390 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1005 (2512 Métrica) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSZL52C12-F0RWGTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 9 V | 12 V | 20 ohmios | |||||||||
![]() | HS2DH | 0.1284 | ![]() | 1075 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HS2DHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N4760AHA0G | - | ![]() | 5662 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4760 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||
BZD27C120P RHG | - | ![]() | 4900 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91 V | 120.5 V | 300 ohmios | ||||||||||
![]() | 1PGSMB5954 R5G | - | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5954 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 700 ohmios | ||||||||||
![]() | MMSZ5236B RHG | 0.0433 | ![]() | 9552 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | MMSZ5236 | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||
Bzd27c100phmqg | - | ![]() | 9280 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohmios | ||||||||||
![]() | SF61GHR0G | - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF61 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 975 MV @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | Bzd17c36ph | 0.2790 | ![]() | 9162 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD17 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD17C36PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohmios | |||||||||
![]() | Sk810chm6g | - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Sk810 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 8 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||
![]() | SRA10100 | - | ![]() | 7679 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sra10100 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||
Alfombra BZD27C75P | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 74.5 V | 100 ohmios | ||||||||||
![]() | BZD27C36P | 0.1101 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD27C36PTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 27 V | 36 V | 40 ohmios | |||||||||
![]() | 1N4003GHA0G | - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4003 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | Mur840 | - | ![]() | 5357 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR840 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||
![]() | Sf43g | - | ![]() | 5568 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SF43GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1 v @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | M3Z3V6C | 0.0294 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | M3Z3 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-M3Z3V6CTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 85 ohmios | ||||||||||
Es1alhrfg | - | ![]() | 2405 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | Rs2m | 0.0946 | ![]() | 3508 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Rs2m | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 v @ 2 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | 1N4743AH | 0.1188 | ![]() | 1971 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4743 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 38.8 V | 13 V | 95 ohmios | ||||||||||
![]() | SFA1004GHC0G | - | ![]() | 2063 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SFA1004 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1N4936GH | 0.0613 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4936 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | MTZJ5V6SA R0G | 0.0305 | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzj5 | 500 MW | Do-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 2.5 V | 5.42 V | 60 ohmios | ||||||||||
![]() | TSPB5H100S | 0.9900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | TSPB5 | Schottky | SMPC4.0 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 660 MV @ 5 A | 150 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - |
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