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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
S1JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S1JBHR5G -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
MUR440HA0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440HA0G -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur440 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BC549A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549A A1G -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC549 500 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
ES1GFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es1gfsh 0.1131
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES1GFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
1N5401G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401G R0G -
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5401 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
1SMA5940 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5940 0.0935
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5940 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
SF3003PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3003PTHC0G -
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF3003 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 15 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
S1JB Taiwan Semiconductor Corporation S1JB 0.0991
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
SR310 Taiwan Semiconductor Corporation SR310 0.1676
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR310 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
FR305G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR305G B0G -
RFQ
 ECAD 8630 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR305 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
TSZL52C2V4-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C2V4-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C2V4-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
UG06BHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Ug06bha0g -
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
BYG21M Taiwan Semiconductor Corporation Byg21m 0.0948
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg21 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.6 V @ 1.5 A 120 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 13PF @ 4V, 1MHz
SFAS808GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS808GH -
RFQ
 ECAD 1539 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFAS808 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 60pf @ 4V, 1MHz
2M51ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2m51zh 0.1667
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M51 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 38.8 V 51 V 48 ohmios
SR520 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR520 A0G 0.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR520 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 5 a 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
RS1ML MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ml mhg -
RFQ
 ECAD 1408 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1m Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 800 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SF38G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF38G A0G 0.8700
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF38 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SK315B Taiwan Semiconductor Corporation Sk315b 0.1162
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk315 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SR515 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR515 B0G -
RFQ
 ECAD 5675 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR515 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 5 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SF3005PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3005PTHC0G -
RFQ
 ECAD 8512 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF3005 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
TSM150P04LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P04LCS RLG 2.6700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TSM150 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 22a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2783 pf @ 20 V - 12.5W (TC)
MBR16150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16150HC0G -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MBR16150 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 16 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZT55B39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B39 L1G -
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
1N5404G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404G 0.1309
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5404 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
SK320AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk320AH 0.1251
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK320 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL MQG -
RFQ
 ECAD 5664 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1F Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1 MHz
TST30U45CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45CW -
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 TST30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
RSFDLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfdlhrtg -
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SRA8100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA8100 C0G -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA8100 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 550 MV @ 8 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
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