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Productos de Semiconducores discretos (15635)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SS19LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss19lhrtg -
RFQ
 ECAD 8523 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S1KL RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1kl rfg -
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MBRS1535CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1535CTHMNG -
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1535 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 15A 840 MV @ 15 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS1GH Taiwan Semiconductor Corporation HS1GH 0.0907
RFQ
 ECAD 8913 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1GHTR EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SS215LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Ss215lhr3g -
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS215 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
S10KCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S10kchm6g -
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10K Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
MUR4L40H Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L40H 0.2907
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial MUR4L40 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6 0.0412
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B3V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
S1DL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra S1DL 0.1620
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SR803 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR803 B0G -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR803 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
SF2L8GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2L8GHA0G -
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF2L8 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 20pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B56 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56 0.0453
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B56TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
SS13 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS13 R3G 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS13 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
HS3G V7G Taiwan Semiconductor Corporation Hs3g v7g 1.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
S1GLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation S1glhm2g -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
F1T2GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t2gha0g -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t2 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BA157GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Ba157gha0g -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA157 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MUR120SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur120sh 0.1162
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB MUR120 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 1 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RSFKLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rsfklhr3g 0.1951
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rsfkl Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
PUAD8D Taiwan Semiconductor Corporation PUAD8D 0.8600
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar Thindpak - 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 8 a 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 101pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C51PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c51ph 0.2933
RFQ
 ECAD 6263 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C51PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
MBRF2045 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2045 C0G -
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF2045 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 750 MV @ 20 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
HS3F Taiwan Semiconductor Corporation HS3F 0.2021
RFQ
 ECAD 2175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3F Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
SS310HM6G Taiwan Semiconductor Corporation Ss310hm6g -
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS310 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
FR102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR102G A0G -
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FR102 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SR502 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502 R0G -
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR502 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
MBRS15200CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15200CT-Y MNG -
RFQ
 ECAD 2254 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS15200 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 950 MV @ 7.5 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
ES3JBH Taiwan Semiconductor Corporation ES3JBH 0.2045
RFQ
 ECAD 7706 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.45 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
ES3C V6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C V6G -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3C Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SS13H Taiwan Semiconductor Corporation SS13H 0.0734
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS13 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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