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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | HS5FH | 0.2928 | ![]() | 1881 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5FHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM110NB04LDCR RLG | 1.0500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM110 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA), 48W (TC) | 8-PDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 10a (TA), 48a (TC) | 11mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 1269pf @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||
S1ml mtg | - | ![]() | 6202 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1ml | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
UG2JA R3G | - | ![]() | 5320 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | UG2J | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 v @ 2 a | 55 ns | 2 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS10H200CTH | 0.7126 | ![]() | 6392 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS10 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRS10H200CTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 970 MV @ 10 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F1t6gha1g | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | F1t6 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856B RFG | 0.0343 | ![]() | 3590 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 200 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
S1glhmtg | - | ![]() | 1741 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1g | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM70N600CP ROG | 5.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TSM70 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12.6 NC @ 10 V | ± 30V | 743 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS26 | 0.0990 | ![]() | 9018 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS26 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sr303hr0g | - | ![]() | 3466 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR303 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 3 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
ESGLWH | 0.0948 | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | ESGLW | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1003GA C0G | - | ![]() | 2955 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF1003 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 150 V | 10a (DC) | 975 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
SS26L R3G | - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS26 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 2 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
Ss36lhmhg | - | ![]() | 6420 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS36 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5M V7G | 0.9900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5M | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 v @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
ESH2DA | 0.1650 | ![]() | 2309 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ESH2 | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3fhm6g | - | ![]() | 4218 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ES3F | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER1607GH | 0.6715 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HER1607GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 800 V | 16A | 1.7 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sras2050 mng | - | ![]() | 8325 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sras2050 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 20 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PU8JC | 0.2643 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | PU8J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-PU8JCTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 8 A | 25 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 58pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS1060HMNG | - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS1060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 950 MV @ 10 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Es2bahm2g | - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | ES2B | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Rs1alhmqg | - | ![]() | 6690 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
RSFAL | 0.5100 | ![]() | 189 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFAL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3B V6G | - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ES3B | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
S1JFS | 0.0525 | ![]() | 5017 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | S1J | Estándar | SOD-128 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
TSM130NB06LCR | - | ![]() | 9671 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | TSM130 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 10a (TA), 51A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2175 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF30H120C | 1.3038 | ![]() | 6282 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 15A | 880 MV @ 15 A | 150 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B30 A0G | - | ![]() | 5579 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 21 Ma @ 50 MV | 30 V | 80 ohmios |
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