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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HER602G B0G | - | ![]() | 6414 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | R-6, axial | Her602 | Estándar | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 v @ 6 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | TSD30H200CW | 1.4064 | ![]() | 3690 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | TSD30 | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | ||||||||||||||||||
![]() | SR1630HC0G | - | ![]() | 7235 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SR1630 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 16A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
Bzd27c180phr3g | - | ![]() | 7917 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 130 V | 179.5 V | 450 ohmios | ||||||||||||
![]() | HS3F R6 | - | ![]() | 9440 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS3FR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 6a10g B0G | - | ![]() | 7879 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | R-6, axial | 6A10 | Estándar | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | TPUH6D S1G | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | TPUH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 6 a | 45 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BAS40 | 0.0612 | ![]() | 6518 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-Bas40TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 200 na @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 5PF @ 1V, 1MHz | |||||||||
![]() | MBRF5100 C0G | - | ![]() | 9148 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | MBRF5100 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 5 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | SS29 m4g | - | ![]() | 8249 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS29 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||
![]() | TSF10H150C | 0.9390 | ![]() | 8321 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | TSF10 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 5A | 880 MV @ 5 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
S1glhm2g | - | ![]() | 3367 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1g | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
Alfombra S1DL | 0.1620 | ![]() | 4303 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | HS3F | 0.2021 | ![]() | 2175 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HS3F | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR803 B0G | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR803 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | BZT55B2V7 L0G | 0.0385 | ![]() | 3765 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 V | 85 ohmios | |||||||||||
![]() | Ss310hm6g | - | ![]() | 4256 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SS310 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 3 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | FR102G A0G | - | ![]() | 9773 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | FR102 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SFS1006GH | 0.6433 | ![]() | 3664 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SFS1006 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SF16GHB0G | - | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SF16 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRF2045 C0G | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | MBRF2045 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 750 MV @ 20 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | BZX84C20 RFG | 0.0511 | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||
![]() | BZT52B3V6 | 0.0412 | ![]() | 1770 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Bzt52b | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT52B3V6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 Ma | 4.5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||
![]() | MBRS15200CT-Y MNG | - | ![]() | 2254 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS15200 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 950 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | ES3JBH | 0.2045 | ![]() | 7706 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES3J | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 v @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 34pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
Rsfklhr3g | 0.1951 | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rsfkl | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Sk110bh | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SK110 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 1 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | Sfs1604g | 0.7560 | ![]() | 5746 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SFS1604 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRS2045CTH | 0.6851 | ![]() | 2456 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS2045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 20A | 840 MV @ 20 A | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
S1al R3G | - | ![]() | 8335 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1a | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz |
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