Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1PGSMC5355H | 0.3459 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 13.7 V | 18 V | 3 ohmios | ||||||||||||
![]() | S15MC | 0.2997 | ![]() | 8011 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 15 A | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 93pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1PGSMB5941 | 0.1689 | ![]() | 1655 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1PGSMB5944H | 0.1798 | ![]() | 9767 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | Rs3gh | 0.1756 | ![]() | 1091 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | HS3BB | 0.2066 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS3BBTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | S15kc | 0.2997 | ![]() | 9751 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 15 A | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 93pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Rs3AH | - | ![]() | 7922 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-RS3AHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | Sk12b | - | ![]() | 1979 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK12BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | 1PGSMB5943H | 0.1798 | ![]() | 6413 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | |||||||||||||
![]() | Sk39Ah | 0.1746 | ![]() | 5144 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK39AHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 3 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | Sk32ah | - | ![]() | 9682 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK32AHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | Sk515ch | 0.2296 | ![]() | 2612 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 5 A | 300 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
![]() | 1PGSMB5951H | 0.1798 | ![]() | 3720 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 91.2 V | 120 V | 360 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1PGSMB5955H | 0.1798 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 136.8 V | 180 V | 900 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1PGSMB5942 | 0.1689 | ![]() | 7834 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | Esh1gmhrsg | - | ![]() | 5566 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Estándar | Micro SMA | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-she1gmhrsgtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 3PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | FR153GH | - | ![]() | 9986 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-FR153GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SFAF1608GH | - | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SFAF1608GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 16 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 100pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Heraf1004g | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HERAF1004G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | KBL601G | - | ![]() | 3666 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-KBL601G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
![]() | SR102 | - | ![]() | 5972 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR102TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | Mur840 | - | ![]() | 5357 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR840 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | SR503 | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR503TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | SRAF540 | - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SRAF540 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | SF41GH | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF41 | Estándar | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SF41GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | MBRF16150 | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF16150 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 16 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | SR1202 | - | ![]() | 1070 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR1202TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 12 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | SR002H | - | ![]() | 7349 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR002HTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 500 Ma | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1T3G | - | ![]() | 5546 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | Estándar | TS-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1t3gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock