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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Bzd27c24phmhg | - | ![]() | 4492 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.78% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18 V | 24.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZV55C62 L0G | 0.0333 | ![]() | 1304 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 150 ohmios | |||||||||||||
![]() | 6a20g B0G | - | ![]() | 5485 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | R-6, axial | 6A20 | Estándar | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1SMC5352 M6 | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1SMC5352M6TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | KBP203G C2 | - | ![]() | 9531 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.2 v @ 2 a | 10 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||||
Rs1jl rhg | - | ![]() | 7855 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1J | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 800 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Sr502hr0g | - | ![]() | 8651 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR502 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | BZT55B6V8 | 0.0385 | ![]() | 5738 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | 500 MW | Mmmmel | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT55B6V8TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 3 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | S5KC-K | 0.2203 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-S5KC-KTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 5 a | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 34pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | 1SMC5352H | 0.3459 | ![]() | 7434 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1SMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Rs1dlw | 0.0577 | ![]() | 5485 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-RS1DLWTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | BAS20 | 0.0322 | ![]() | 5139 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS20 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BAS20TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MBR1660H | - | ![]() | 7802 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBR1660H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||
![]() | Hs2dal | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | HS2D | Estándar | SMA Delgada | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 2 a | 50 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 32pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Sr802hb0g | - | ![]() | 6849 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR802 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | TS20P02GH | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | Estándar | TS-6P | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TS20P02GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 100 V | 20 A | Fase única | 100 V | |||||||||||||
![]() | Bzd17c120ph | 0.3773 | ![]() | 8051 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD17 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD17C120PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 91 V | 120 V | 300 ohmios | |||||||||||||
BZD27C160P RVG | - | ![]() | 5013 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 120 V | 162 V | 350 ohmios | ||||||||||||||
![]() | TSZL52C22-F0 RWG | - | ![]() | 8596 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1005 (2512 Métrica) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-TSZL52C22-F0RWGTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||
![]() | Mmbd3004cc | 0.0622 | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mmbd3004 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MMBD3004CCTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 350 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 225 Ma | 5PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N4005GHA0G | 0.0756 | ![]() | 1999 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4005 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
Ss12lhrun | - | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS12 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | BAV20 A0G | - | ![]() | 4251 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Bav20 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1.25 V @ 200 Ma | 100 na @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52B5V6S RRG | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Bzt52b | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 900 na @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||
![]() | Bzd17c62ph | 0.2790 | ![]() | 2966 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | BZD17 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZD17C62PHTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 47 V | 62 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | SFF1002GAH | - | ![]() | 2212 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | SFF1002 | Estándar | ITO-220AB | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SFF1002GAH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 100 V | 10a (DC) | 975 MV @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | UDZS22B RRG | 0.0499 | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS22 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 na @ 17 V | 22 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SR003 R1G | - | ![]() | 8770 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR003 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 500 Ma | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1M150Z B0G | - | ![]() | 9947 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1m150 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 114 V | 150 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||
![]() | S1DLS | 0.4100 | ![]() | 3796 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Estándar | Sod-123he | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1.2 A | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.2a | - |
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