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Productos de semiconductoros discretos (4)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Htnfet-t | - |  | 4674 | 0.00000000 | Aeropacial de Honeywell | HTMOS ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP | Htnfet | Mosfet (Óxido de metal) | Pestaña de 4 Potencias | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | - | 5V | 400mohm @ 100 mA, 5V | 2.4V @ 100 µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W (TJ) | ||
 | Htnfet-dc | - | | 1677 | 0.00000000 | Aeropacial de Honeywell | HTMOS ™ | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | Almohadilla exposición de 8 CDIP | Htnfet | Mosfet (Óxido de metal) | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | - | 5V | 400mohm @ 100 mA, 5V | 2.4V @ 100 µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W (TJ) | ||
 | Htnfet-d | - | | 3097 | 0.00000000 | Aeropacial de Honeywell | HTMOS ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Almohadilla exposición de 8 CDIP | Htnfet | Mosfet (Óxido de metal) | 8-CDIP-EP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 342-1078 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | - | 5V | 400mohm @ 100 mA, 5V | 2.4V @ 100 µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W (TJ) | |
| Htnfet-tc | - | | 9171 | 0.00000000 | Aeropacial de Honeywell | HTMOS ™ | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | - | Htnfet | Mosfet (Óxido de metal) | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | - | 5V | 400mohm @ 100 mA, 5V | 2.4V @ 100 µA | 4.3 NC @ 5 V | 10V | 290 pf @ 28 V | - | 50W (TJ) |
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