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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)
Ixya20n120a4hv	11.3500	RFQ	6311	Ixys	GenX4 ™, XPT ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Ixya20	Estándar		375 W	Un 263HV	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	238-IXYA20N120A4HV	EAR99	8541.29.0095	50					800mv, 20a, 10ohm, 15V																					54 ns					PT	1200 V	80 A	135 A	1.9V @ 15V, 20a	3.6mj (Encendido), 2.75mj (apaguado)	46 NC	12ns/275ns
IXBT12N300	23.7863	RFQ	8225	Ixys	Bimosfet ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	IXBT12	Estándar		160 W	Un 268AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30					-																					1.4 µs					-	3000 V	30 A	100 A	3.2V @ 15V, 12A	-	62 NC	-
Ixfk30n110p	-	RFQ	3657	Ixys	Hiperfet ™, polar	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-264-3, TO-264AA	IXFK30		Mosfet (Óxido de metal)		TO-264AA (IXFK)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25			N-canal			1100 V	30A (TC)	10V	360mohm @ 15a, 10V	6.5V @ 1MA	235 NC @ 10 V	± 30V	13600 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixft58n20	-	RFQ	6264	Ixys	Hiperfet ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA	Ixft58		Mosfet (Óxido de metal)		Un 268AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal			200 V	58a (TC)	10V	40mohm @ 29a, 10v	4V @ 4MA	220 NC @ 10 V	± 20V	4400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
DSS6-0045As-TUB	-	RFQ	9929	Ixys	-	Tubo	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	DSS6		Schottky		Un 252AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	238-DSS6-0045As-TUB	EAR99	8541.10.0080	70		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					45 V		630 MV @ 6 A		250 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	497pf @ 5V, 1MHz
Ixta30n65x2	8.9736	RFQ	4909	Ixys	Ultra x2	Tubo	Activo	-	-	-	Ixta30		-		-	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	238-iptica30n65x2	EAR99	8541.29.0095	50			-				-	-	-	-		-		-	-
MDD44-18N1B	31.5300	RFQ	5	Ixys	-	Caja	Activo		Monte del Chasis	To40aa	MDD44		Estándar		To40aa	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	36		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																				Conexión de la Serie de 1 par	1800 V	64a	1.6 v @ 200 a		10 Ma @ 1800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
IXTH30N25L2	19.6670	RFQ	8977	Ixys	Linear L2 ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IXTH30		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247 (IXTH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	238-IXTH30N25L2	EAR99	8541.29.0095	30			N-canal			250 V	30A (TC)	10V	140mohm @ 15a, 10v	4.5V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	355W (TC)
Ixtq28n15p	-	RFQ	6432	Ixys	Polar	Tubo	Activo	-	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq28		Mosfet (Óxido de metal)		Un 3p	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal				-		-	-				-	-
DSEI25-06AS-TRL	2.5090	RFQ	4554	Ixys	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	DSEI25		Estándar		TO-263 (D2PAK)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	238-DSEI25-06As-TRLTR	EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					600 V		1.31 v @ 25 a	50 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	25A	20pf @ 400V, 1 MHz
VBO125-18NO7	-	RFQ	7544	Ixys	-	Caja	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	PWS-C	VBO125		Estándar		PWS-C	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10																									1.3 V @ 150 A		300 µA @ 1800 V		124 A										Fase única	1.8 kV
IXFB70N60Q2	30.0952	RFQ	8285	Ixys	Hiperfet ™, Clase Q2	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-264-3, TO-264AA	IXFB70		Mosfet (Óxido de metal)		MÁS264 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25			N-canal			600 V	70A (TC)	10V	88mohm @ 35a, 10v	5.5V @ 8MA	265 NC @ 10 V	± 30V	12000 pf @ 25 V	-	890W (TC)
QV6012NH4TP	3.4900	RFQ	9470	Ixys	Qvxx12xhx	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab					TO-263 (D2PAK)	-		3 (168 Horas)		238-QV6012NH4TP	EAR99	8541.30.0080	1,000	Soltero			50 Ma												Lógica - Puerta sensible	600 V	12 A	1.2 V	140a, 153a	35 Ma
IXGP42N30C3	-	RFQ	8492	Ixys	GenX3 ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Ixgp42	Estándar		223 W	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50					200v, 21a, 10ohm, 15v																										PT	300 V		250 A	1.85V @ 15V, 42a	120 µJ (Encendido), 150 µJ (apaguado)	76 NC	21ns/113ns
MDMA380P1600KC	163.9000	RFQ	1	Ixys	-	Caja	Activo		Monte del Chasis	Módulo	MDMA380		Estándar		Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																				Conexión de la Serie de 1 par	1600 V	380A	1.07 v @ 300 a		500 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Ixtp140n12t2	6.5700	RFQ	42	Ixys	Trencht2 ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Ixtp140		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			120 V	140A (TC)	10V	10mohm @ 70a, 10v	4.5V @ 250 µA	174 NC @ 10 V	± 20V	9700 pf @ 25 V	-	577W (TC)
M1104NK450	-	RFQ	8411	Ixys	*	Caja	Activo				M1104					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	238-M1104NK450			12
VBO13-14NO2	-	RFQ	4362	Ixys	-	Caja	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrados, Fo-A	VBO13		Estándar		Fo-A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10																									1.8 V @ 55 A		300 µA @ 1400 V		18 A										Fase única	1.4 kV
Ixtx400n15x4	44.1200	RFQ	1	Ixys	Ultra x4	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Variatura a 247-3	Ixtx400		Mosfet (Óxido de metal)		MÁS247 ™ -3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal			150 V	400A (TC)	10V	3.1mohm @ 100a, 10v	4.5V @ 1MA	430 NC @ 10 V	± 20V	14500 pf @ 25 V	-	1500W (TC)
IXFN44N50Q	-	RFQ	6857	Ixys	Hiperfet ™, Clase Q	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Ixfn44		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-227b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10			N-canal			500 V	44a (TC)	10V	120mohm @ 500 mA, 10V	4V @ 4MA	190 NC @ 10 V	± 20V	7000 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Ixfp36n20x3	4.6800	RFQ	387	Ixys	Hiperfet ™, Ultra X3	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IXFP36		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			200 V	36A (TC)	10V	45mohm @ 18a, 10v	4.5V @ 500 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1425 pf @ 25 V	-	176W (TC)
VBO125-08NO7	-	RFQ	8337	Ixys	-	Caja	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	PWS-C	VBO125		Estándar		PWS-C	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10																									1.07 v @ 50 a		200 µA @ 800 V		124 A										Fase única	800 V
Ixtp8n70x2	4.2700	RFQ	28	Ixys	Ultra x2	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Ixtp8		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	-IXTP8N70X2	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			700 V	8a (TC)	10V	500mohm @ 500 mA, 10V	5V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 30V	800 pf @ 10 V	-	150W (TC)
Ixfh26n100x	19.7800	RFQ	5621	Ixys	Hiperfet ™, Ultra X	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IXFH26		Mosfet (Óxido de metal)		To-247	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal			1000 V	26a (TC)	10V	320mohm @ 13a, 10v	6V @ 4MA	113 NC @ 10 V	± 30V	3290 pf @ 25 V	-	860W (TC)
Ixtp20n65x2	5.0500	RFQ	279	Ixys	Ultra x2	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Ixtp20		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	238-ixtp20n65x2	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			650 V	20A (TC)	10V	185mohm @ 10a, 10v	4.5V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	290W (TC)
Ixtn8n150l	53.8500	RFQ	160	Ixys	Lineal	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Ixtn8		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-227b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10			N-canal			1500 V	7.5a (TC)	20V	3.6ohm @ 4a, 20V	8V @ 250 µA	250 NC @ 15 V	± 30V	8000 pf @ 25 V	-	545W (TC)
IXFH400N075T2	16.0900	RFQ	6654	Ixys	Hiperfet ™, Trencht2 ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IXFH400		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247AD (IXFH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal			75 V	400A (TC)	10V	2.3mohm @ 100a, 10V	4V @ 250 µA	420 NC @ 10 V	± 20V	24000 pf @ 25 V	-	1000W (TC)
Ixfp14n55x2	5.8746	RFQ	6048	Ixys	Hiperfet ™, Ultra X2	Tubo	Activo	-	-	-	IXFP14		-		-	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	238-IXFP14N55X2	EAR99	8541.29.0095	50			-				-	-	-	-		-		-	-
Ixta08n120p-trl	2.5952	RFQ	1599	Ixys	Polar	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Ixta08		Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (D2PAK)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	238-iesxa08n120p-trltr	EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			1200 V	800 mA (TC)	10V	25ohm @ 400mA, 10V	4.5V @ 50 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	333 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IXFN20N120	-	RFQ	9621	Ixys	Hiperfet ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Ixfn20		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-227b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10			N-canal			1200 V	20A (TC)	10V	750mohm @ 500 mA, 10V	4.5V @ 8MA	160 NC @ 10 V	± 30V	7400 pf @ 25 V	-	780W (TC)